东芝首发15nm eMMC闪存:速度飙升140%

东芝推出新一代e-MMC及UFS嵌入式存储解决方案,集成控制器技术大幅提升读写速度。新产品包括15nm工艺制造的e-MMC芯片和UFS芯片,容量范围从16GB至128GB,顺序读写速度分别最高达320MB/s和850MB/s。

东芝美国电子元件公司今天正式公布了新一代e-MMC和UFS嵌入式存储解决方案,进一步壮大了旗下NAND产品阵容。新的“Supreme +”e-MMC(JEDEC版本5.1)和UFS(JEDEC版本2.1)提供了强大的集成控制器技术,可提供显著的读写速度改进。与原来的NAND闪存解决方案相比,e-MMC和UFS将NAND闪存和控制器芯片集成在单个封装中。

这样的设计不仅节省了空间,而且还减轻了主处理器的存储管理负担,包括坏块管理,错误校正,损耗均衡和垃圾收集。

因此,与具有标准NAND闪存接口的独立存储器IC相比,e-MMC和UFS器件简化了设计。

据介绍,东芝的新e-MMC芯片容量从16GB到128GB不等,采用15nm工艺制造,这使得其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。

读写性能方面,新e-MMC芯片的顺序读写速度分别为320MB/s和180MB/s,分别比旧型号提升约2%和20%。随机读写速度比以前提升约100%和140%。

另外,新的UFS芯片也基于东芝的15nm MLC NAND工艺,可提供从32GB到128GB的容量。顺序读写速度分别为850MB/s和180MB/s,较旧型号提高了大约40%和16%,而随机读取和写入性能分别提高了大约120%和80%。

需要强调的是,东芝在新的UFS控制器中提供了M-PHY 3.0内核和数字UniPro 1.6内核。使得控制器能够与闪存芯片更好的匹配,充分发挥性能。

 

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