stm32flash取数据_STM32操作访问flash，包括写入数据到flash和从flash读取数据

序言：flash相关知识背景

STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。

其中：

RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。

ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。

ROM又包含：EEPROM和flash。

画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下(如有什么地方不对，恳请大神们进行指正)：

作为ROM的一份子，flash的特点自然是掉电数据不丢失。但是，flash在STM32中比较重要，程序也是保存在这个地方，所以轻易不让用户进行随意的读写，以避免不必要的问题。

而这篇博客就先简单记录一下flash的访问流程和方法(读和写)，具体原理以后理解深刻了再做补充。

一、FLASH操作流程与操作选址

1.1 FLASH操作流程

Flash操作已经属于嵌入式设备中很底层的操作了，直接对地址进行存取，简单描述，Flash操作大致需要以下流程：

1、确定要写入Flash的首地址(稍后介绍确定地址的方法)

2、解锁Flash

3、对Flash进行操作(写入数据)

4、对Flash重新上锁

1.2 如何查找并选定要写入Flash十六进制地址

要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。(我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响)

我此次操作Flash使用的MCU是STM32F103C8T6，所以以该型号MCU为例进行描述：

在数据手册中，可以看到STM32F103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000(如下图所示)，而STM32F103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32F103C8T6的Flash地址范围是：0x0800 0000——0x