【HDU】1394 Minimum Inversion Number

本文介绍了一种基于区间树的数据结构实现,该实现支持区间更新与查询操作。通过递归方式更新区间树中特定节点,并能高效地返回指定区间内的元素总数。此算法适用于动态维护一系列离散数据并进行快速查询的应用场景。

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 1 #include<cstdio>
 2 #include<cstring>
 3 #define MIN(a,b) ((a)>(b)?(b):(a))
 4 #define MAXN 5010
 5 int tree[MAXN<<2],a[MAXN];
 6 inline void PushUp(int rt)
 7 {
 8     tree[rt]=tree[rt<<1]+tree[rt<<1|1];
 9 }
10 void Update(int x,int L,int R,int rt)
11 {
12     if(L==R)
13         tree[rt]=1;
14     else
15     {
16         int mid=(L+R)>>1;
17         if(mid>=x)
18             Update(x,L,mid,rt<<1);
19         else
20             Update(x,mid+1,R,rt<<1|1);
21         PushUp(rt);
22     }
23 }
24 int Query(int x,int y,int L,int R,int rt)
25 {
26     if(x<=L&&R<=y)
27         return tree[rt];
28     else
29     {
30         int mid,ans;
31         ans=0;
32         mid=(L+R)>>1;
33         if(x<=mid)
34             ans+=Query(x,y,L,mid,rt<<1);
35         if(y>mid)
36             ans+=Query(x,y,mid+1,R,rt<<1|1);
37         return ans;
38     }
39 }
40 int main()
41 {
42     int n,i,ans,temp;
43     while(~scanf("%d",&n))
44     {
45         memset(tree,0,sizeof(tree));
46         for(ans=i=0;i<n;i++)
47         {
48             scanf("%d",&a[i]);
49             a[i]++;
50             ans+=Query(a[i],n,1,n,1);
51             Update(a[i],1,n,1);
52         }
53         temp=ans;
54         for(i=0;i<n;i++)
55         {
56             temp+=n+1-(a[i]<<1);
57             ans=MIN(ans,temp);
58         }
59         printf("%d\n",ans);
60     }
61     return 0;
62 }

转载于:https://www.cnblogs.com/DrunBee/archive/2012/05/21/2511367.html

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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