[BZOJ4236]JOIOJI

本文详细解析了BZOJ4236题目,通过使用C++实现的算法,介绍了如何利用map记录每个三元组<a[i],b[i],c[i]>第一次出现的位置,以此来更新答案,解决区间问题。该算法巧妙地运用了差分思想,通过比较区间两端的字符数量差异来判断区间的合法性。

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设a[i],b[i],c[i]分别为前i个数中J,O,I的个数,则一个区间[L+1,R]合法当且进当:

a[r]-a[l]=b[r]-b[l]=c[r]-c[l]。

即a[l]-b[l]=a[r]-b[r],a[l]-c[l]=a[r]-c[r],b[l]-c[l]=b[r]-c[r]。

用map记录每个三元组<a[i],b[i],c[i]>第一次出现的位置,每次尝试更新答案。

 1 #include<map>
 2 #include<cstdio>
 3 #include<algorithm>
 4 #define rep(i,l,r) for (int i=(l); i<=(r); i++)
 5 using namespace std;
 6 
 7 const int N=200010;
 8 int n,ans,sm1[N],sm2[N],sm3[N];
 9 char s[N];
10 struct P{ int a,b,c; };
11 bool operator <(const P &a,const P &b)
12 { return (a.a==b.a) ? (a.b==b.b ? a.c<b.c : a.b<b.b) : a.a<b.a; }
13 map<P,int>mp;
14 
15 int main(){
16     freopen("bzoj4236.in","r",stdin);
17     freopen("bzoj4236.out","w",stdout);
18     scanf("%d%s",&n,s+1); mp[(P){0,0,0}]=0;
19     rep(i,1,n){
20         sm1[i]=sm1[i-1]; sm2[i]=sm2[i-1]; sm3[i]=sm3[i-1];
21         if (s[i]=='J') sm1[i]++;
22         if (s[i]=='O') sm2[i]++;
23         if (s[i]=='I') sm3[i]++;
24         P t=(P){sm1[i]-sm2[i],sm1[i]-sm3[i],sm2[i]-sm3[i]};
25         if (mp.count(t)) ans=max(ans,i-mp[t]); else mp[t]=i;
26     }
27     printf("%d\n",ans);
28     return 0;
29 }

 

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资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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