MOSFET规格书参数详解(参考AOD444)
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说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。
测试条件:在Vgs=0V,栅极和源极不给电压。
影响:超过的话会让MOSFET损坏。
说明:ID的漏电流。
测试条件:在Vgs=0V,在漏极和源极两端给48V的电压。
影响:漏电流越大功耗越大。
说明:栅极漏电流
测试条件:在Vgs=+-20V,在漏极和源极两端不给电压。
影响:
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说明:开启电压
测试条件:在Vgs=Vds,在漏极和源极两端电流控制在250uA。
影响:低于参考值可能出现不导通现象,设计时需要考虑范围值。