Print Numbers by Recursion

本文介绍了一种通过递归来打印从1到N位数最大值的方法。采用层级递进的方式,每层从10的i次方到10的i+1次方-1进行打印,递归深度不超过N,有效减少了内存消耗。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

Print numbers from 1 to the largest number with N digits by recursion.

 Notice

It's pretty easy to do recursion like:

recursion(i) {
    if i > largest number:
        return
    results.add(i)
    recursion(i + 1)
}

however this cost a lot of recursion memory as the recursion depth maybe very large. Can you do it in another way to recursive with at most N depth?

Example

Given N = 1, return [1,2,3,4,5,6,7,8,9].

Given N = 2, return [1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,...,99].

分析:

我们可以按“层”打印,什么意思呢?

第一层 1 - 9  = 1 to (pow(10, 1) - pow(10, 0)) 

第二层: 10 - 99 = 10 to (pow(10, 2) - pow(10, 1)) 

第三层: 100 - 999 = 100 to (pow(10, 3) - pow(10, 2)) 

... 

看到规律了吧。

 1 public class Solution {
 2     /**
 3      * @param n: An integer.
 4      * return : An array storing 1 to the largest number with n digits.
 5      */
 6     public List<Integer> numbersByRecursion(int n) {
 7         List<Integer> list = new ArrayList<Integer>();
 8         if (n <= 0) return list;
 9         // start[0] refers to the start number for the current levevl.
10         // start[1] refers to the exponent.
11         int[] start = {1, 1};
12         helper(n, list, start);
13         return list;
14     }
15     
16     public void helper(int n, List<Integer> list, int[] start) {
17         if (n == 0) return;
18         for (int i = 1; i <= (int)(Math.pow(10, start[1]) - Math.pow(10, start[1] - 1)); i++) {
19             list.add(start[0]++);
20         }
21         start[1]++;
22         helper(n - 1, list, start);
23     }
24 }

 

 

转载于:https://www.cnblogs.com/beiyeqingteng/p/5675159.html

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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