计 算 机 电 路 基 础
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计 算 机 电 路 基 础. 执教者:谢婷. 本章内容. 开关特性:二极管、三极管、 MOS 管 三种管子的特性曲线与主要参数. 重点和难点. 重点: 1、理解 PN 结的单向导电性。 2、理解三极管的电流放大作用及实现电流作用的外部工作条件。理解三极管的输入特性和输出特性以及主要参数。 3、掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念。 4、熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法。 5、熟悉 MOS 场效应管的分类及符号。 难点: 1、载流子运动规律与器件外部特性的关系。只须了解,不必深究. 半导体基本知识. 半导体: - PowerPoint PPT Presentation
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MOS
PN MOS
::
0KT/
NP
N/+
P/++
PN P>NP///EIN PN PN
PNPN=0
PN
1 PNEEXTEINIFEEXT< EIN EEXT> EIN
()PN
2. PNEEXTEINIRPN
PN
PN0
PN u>0UON/0.5V 0.1V (u
A/ K/PN 1 IF2 URB3 IR4 FT tre5
UIUIL=-5VUIH=5VUI-5VDUO=0V UI+5VDRDRUIRUO=UI=+5V
1PNUonUon=0V 2
5.6VIZ5mA~82mARL IL=0I1=IZD RMIN=(12-5.6)/IZM=78 R=82 I1MAX=(12-5.6)/82=78mAIZD>5mA ILMAX=I1MAX-5=78-5=73mA RLMIN=5.6/73=75 RL75 ,5.6
NPNPNPebc
BEUON iB0,iC0BEUON 0.5V0.3VIC=IBBEUON II
-UCEOICMPCMfT-UCES
.U15V1KHZ. =125,UBE=0.7V,UCES=0.25V.
:
MOSPMOSNMOS
MOS UTNUTP rgsgmRds
NMOS,UTN=2.0VgM=1.3MA/VrDS(ON)=875UC=12V5V,1KHZUO
(1)uI=0VuGS=uI(0)UTN uDS=UC*rDS(ON)/(rDS(ON)+R1)=0.9V.
MOS
PN MOS
MOS
P44 2.1.1
P51 2.2.1
P61 2.3.1P63 1P64 5