调用STM32F4 库函数FLASH_ProgramWord() 出错问题

最新推荐文章于 2025-06-18 19:34:35 发布
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#flash #function #byte

在操作STM32F4的内部Flash时，遇到使用FLASH_ProgramWord() 函数出错的问题。解决方法包括在擦除前清除Flash标志，确保正确使用擦除和写入函数，特别是注意写入地址必须为4的整倍数，否则会导致FLASH_ERROR_PROGRAM错误。详细分析了STM32F4的Flash结构和操作注意事项。

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最近操作STM32F4的内部flash，吓了一跳。以前的STM32F107的时候还是4k一页，现在只分了12个Sector，后面几个128K这么大。

从官网下了Flash programming manual，


擦除之前得清除flash flag

/* Clear All pending flags */
FLASH_ClearFlag( FLASH_FLAG_EOP |  FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);


同时查看擦除函数，看着函数说明，正确的传参数就OK了

/**
  * @brief  Erases a specified FLASH Sector.
  *   
  * @param  FLASH_Sector: The Sector number to be erased.
  *          This parameter can be a value between FLASH_Sector_0 and F

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一个Flash编程错误标志的探析
u014319604的博客
03-17 1182
客户项目中使用的 MCU 型号是 STM32G0B1, 他们反馈在代码中尝试擦除并编程 FLASH时, 发现 FLASH 的状态寄存器显示编程错误(如图 1 所示). 问题是当前代码还没有开始擦除和编程, 怎么就有了编程错误标志了呢?如果不将此错误标志清除, 后续的编程操作无法继续.客户对于每次想要操作 FLASH 之前这个清除动作既感觉多余也感觉别扭, 且还不得不做, 且做了也不知对整个产品的稳定性会有什么样的影响?
【STM32】FLASH闪存存储器的擦除与编程
m0_75090944的博客
08-30 2639
程序存储器的擦除与编程+选项字节读写+读器件电子签名
STM32出现flash_error_program问题
m0_59178848的博客
08-13 2785
值：1解释：闪存正在忙于执行一个操作，无法立即开始新的操作。值：2解释：闪存读取错误。可能由于硬件故障或不正确的操作导致。值：3解释：闪存编程顺序错误。可能由于不正确的编程顺序或步骤导致。值：4解释：闪存编程 parallelism 错误。可能由于并行编程设置不正确导致。值：5解释：闪存编程对齐错误。可能由于编程地址未对齐导致。值：6解释：闪存写保护错误。可能由于尝试写入受保护的区域导致。值：7解释：闪存编程错误。可能由于编程数据错误或硬件故障导致。值：8解释：闪存操作错误。
【STM32 HAL库】使用HAL库操作FLASH
目标：MVP
06-18 679
首先有个问题，我们为什么要擦除，不能直接覆写吗？Flash存储器是一种非易失性存储器，其存储单元在未编程的时候处于。先解锁Flash，再擦除片区，再写入，写完了别忘了加锁。读取操作很简单，没有调用函数，直接按照地址取值即可。状态（对于Nor Flash，通常擦除后为全。），写操作是将某些比特位变为。，而只有擦除操作才能将位从。
STM32F407 出现FLASH_ERROR_PROGRAM
dailin2012的博客
05-28 4909
在擦除扇区和写入扇区时报FLASH_ERROR_PROGRAM错误。 可能原因：flash没有初始化。在操作前初始化即可。 void drv_flash_Init(void) { FLASH_Unlock(); FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); } ...
STM32F4 flash写入偶尔出现的异常调试
与其用泪水悔恨昨天，不如用汗水拼搏今天
06-29 3687
今天在新的设备上，使用XMODEM协议下载升级问题，之前用了很多年都没出问题，突然在这个F4上面出问题了，单独调用都是好的，最后通过不断的调试发现原因，以前写入FLASH都是调用单字节或者单字烧写，最近修改了一个底层函数，批量写入多个字，由于写入的数据如果不是32bit对齐，就会出现异常，刚好xmodem协议前面有3个字节头，刚好不是4字节对齐。 //128B数据包格式 typedef struct { u8 X_Start; u8 X_PackNum; u8 X_bPackNum; u8 X_
stm32写flash报错FLASH_ERROR_PG
zd845101500的博客
09-08 5262
直接调用FLASH_ProgramWord();会返回FLASH_ERROR_PG的错误怎么办 正确操作流程 写数据基本流程为解锁-》擦除-》写入-》上锁，库函数都有对应的函数。 报FLASH_ERROR_PG这个错误的原因是因为在写入前没有进行擦除。 ...
stm32读写flash用库函数编写
09-13
使用这些库函数，需要包含 "stm32f4xx_flash.h" 头文件，并在代码中调用相关函数实现读写操作。 比如，下面是一个读取 Flash 指定地址数据的代码片段： ``` uint32_t address = 0x0800F000; // Flash 地址 uint32_...
// 擦除函数 FLASH_Status FLASH_EraseSector2(void) { FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; // 解锁Flash FLASH_Unlock(); // 清除所有错误标志 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR); // 擦除操作 status = FLASH_EraseSector(SECTOR_NUMBER, VoltageRange_3); if(status != FLASH_COMPLETE) return status; // 等待操作完成 while (FLASH_GetStatus() != FLASH_COMPLETE); // 重新锁定Flash FLASH_Lock(); return status; } FLASH_Status FLASH_ProgramSector2(uint32_t *data, uint32_t count) { if(count > 4096) count = 4096; FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; uint32_t timeout = 0; // 解锁Flash FLASH_Unlock(); // 清除所有错误标志 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_ALL_ERRORS); // 禁用中断 __disable_irq(); for(uint32_t i = 0; i < count; i++) { uint32_t address = SECTOR2_BASE_ADDR + (i * 4); // 编程双字 status = FLASH_ProgramWord(address, data[i]); if(status != FLASH_COMPLETE) break; // 等待操作完成，带超时 timeout = 0xFFFF; // 设置超时计数器 while((FLASH_GetStatus() == FLASH_BUSY) && (timeout != 0)) { timeout--; } if (timeout == 0) { DEBUG("编译超时\r\n"); break; } // 检查操作后的状态 status = FLASH_GetStatus(); if (status != FLASH_COMPLETE) { break; } } // 启用中断 __enable_irq(); // 重新锁定Flash FLASH_Lock(); return status; } // 校验整个扇区3 uint8_t FLASH_VerifySector2(uint32_t *expectedData, uint32_t count) { uint32_t *flashPtr = (uint32_t *)SECTOR2_BASE_ADDR; for(uint32_t i = 0; i < count; i++) { if(flashPtr[i] != expectedData[i]) { DEBUG("校验失败: 位置 %lu, 期望 0x%llX, 实际 0x%llX\r\n",i, expectedData[i], flashPtr[i]); return 0; } } return 1; } 将双字编程改成单字编程
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08-01
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data); ``` 而双字编程的函数是： ```c FLASH_Status FLASH_ProgramDoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data); ``` 如果用户原本使用的是双字编程...
STM32F4xx FLASH编程艺术：数据保护与性能优化全攻略
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STM32F103C8T6——FLASH读写进入硬件错误
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05-25 3339
今天跑程序发现在FLASH读写过程中程序会跑死并跳转至HardFault_Handler，在网上查阅资料说有可能是首地址没有对齐4字节的问题，不过我stm32应该不存在这个问题，于是我打算改变一下读写宽度试试： 我之前用的是双字写入和读取，先将写入函数改为单字模式：FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD改为FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,再将偏移量改为4，所有的uint64_t改为uint32_t,下面是修改后的读写函数。 uint8_t FLASH_EEPROM_Write
STM32L151 FLASH_ProgramHalfPage写入失败，程序卡死并导致STLink无法下载解决方案
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07-07 3572
STM32L151CBT6A Flash半页写入程序卡死并导致STLink无法下载程序解决方案
辉芒微 FT32F0xxxATx 芯片读写擦除FALSH返回FLASH_ERROR_PROGRAM错误码的解决办法
qq_27842763的博客
03-20 490
问题：当FLASH 写入过一次后，再次调用 FLASH_ProgramWord 函数返回 FLASH_ERROR_PROGRAM 错误码，调用擦除函数亦是如此。在FLASH解锁后，增加清除FLASH标志的函数。#芯片类型：辉芒微 FT32F0xxxATx。
stm32L152 使用内部内部flash做EEPROM 出FLASH_ERROR_WRP问题及解决办法
songisgood的专栏
11-01 7440
最近做个modbus网关，用到的MCU是stm32L152，这个项目是和别人合作，我做顶层的算法和从机协议，从机读回来的数据要存到外部flash中，而外部flash的索引地址要保存到内部的eeprom中，底层驱动合作方已经写好了，直接拿来使用。测试代码如下：  FLASH_Status writeEEPROMByte(uint32_t address, uint8_t data) {
STM32 FLASH写入失败问题定位
zhoumiao_buaa的博客
05-08 4263
STM32 FLASH写入失败问题定位STM32F407 仿真过程进行FLASH写入的时候报错：FLASH_ERROR_PROGRAM (0x00000006) STM32F407 仿真过程进行FLASH写入的时候报错：FLASH_ERROR_PROGRAM (0x00000006) 定位到原因1：在flash擦除的时候（flash_erase）就已经报错，会导致写入必然报错。 因为flash只能把1写成0，所以必须擦除成FF之后才能正常写入。 继续定位根因：之前仿真器用的是JLINK，后来换成ST-LI
解决stm32f103,FLASH_ErasePage函数返回FLASH_ERROR_PG的问题
weixin_39406189的博客
04-09 1032
FLASH_ERROR_PG的问题
内部FLASH写入出现硬件错误
wangdefa12xx的博客
12-06 892
flash出现硬件错误
stm32 Flash 擦除，一直返回错误，问题排查
qq_32509395的博客
06-14 1266
在做 328 ESCL 的 lockTimes 和 unlockTimes 存入 内部Flash 的时候，出现了一个bug。就是上电初始化的时候，第一次读取出来的值，checkSum 通不过，恢复出厂设置，第一次写入 Flash 可以成功，但是后续当 lockTimes 和 unlockTimes 变化的时候，再次存入 Flash 一直擦除失败。后面上网搜了 “FLASH_ERROR_PG” 这个字符串，搜到这篇文章“”，按照文章描述，加上清除标志位，和开关中断，问题解决。
stm32flash取数据_STM32操作访问flash，包括写入数据到flash和从flash读取数据
weixin_32306885的博客
12-28 2210
序言：flash相关知识背景STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。其中：RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。ROM又包含：EEPROM和flash。画个嵌入式产品存储器...
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