DDR3学习之一 好用的学习资料

最新推荐文章于 2025-06-07 21:23:21 发布
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分类专栏： 高速接口 文章标签： 高速接口
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LPDDR4芯片学习（四）——DDR Training
yttt的博客
11-15 5099
Write Leveling的基本过程是，DDR进入Write Leveling后，用DQS的上升沿采样CLK信号的状态，然后将采样结果通过DQ pin 反馈给MC，MC根据收到的反馈结果后调整CLK-to-DQS的关系，将这个过程不断重复，直到training成功。通过MRW去配置FSP-OP为1，并且将CK改变到高频，即进入训练过的、高频的工作状态，在此状态可以进行一些normal操作或者进行其他频点训练。离开训练，将CK频率改回低频之后，驱动CKE为高，SDRAM会自动恢复训练前状态的寄存器值。
vivado初步学习之-PL端的DDR3（1）
weixin_45658595的博客
09-25 349
米联科的芯片是ddr3,800mhz,由于采用的是双边沿上下，所以是400mhz,数据输入方式选择连续输入。页面显示选择的板子及系列（新建工程时已选择了对应的板子），所以这里不用选择。在IP-Catalog菜单中输入mem搜索，选择如下。这个input是400的一半，所以是200mzh。看需求文档，要选择rzq/6,cs片选信号打开。等跑完之后，新建一个例子。进行引导设置ddr3。
ddr学习1基本概念和学习资料
weiweiliulu的专栏
09-19 699
第一次入手DDR 的可以先看网上几个经典的学习资料。 https://blog.youkuaiyun.com/u012923751/article/details/83241169理解DDR是什么，工作原理 下面连续3个链接是一个DDR 使用教程 https://wenku.baidu.com/view/ac32c8bcf705cc1754270923.htmlXilinx平台DD...
DDR3技术从入门到精通的阶梯式详解
最新发布
C/C++
06-07 856
每个Bank由行（Row）和列（Column）构成寻址矩阵。：信号完整性设计+故障注入测试（章节三、五）连接I/O接口，实现单周期8倍数据吞吐。：模拟指令流+时序参数调优（章节二、四）：理解Bank矩阵与预取机制（章节一）8bit Prefetch缓存。执行ZQCL指令（512周期）控制器发送Leveling模式。写入数据时动态调整DQS。16bit I/O接口。保持低电平>100ns。DRAM反馈DQS延迟。控制器计算相位补偿值。8 Bank存储阵列。差分时钟CK/CK#
DDR学习
qq_28238141的博客
03-04 284
DDR名词解释：http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051913
DDR3学习资源库：新手进阶大神指南
根据所提供的文件信息，这个名为“ddr document.zip”的压缩包文件是一个DDR3学习资源库。DDR（Double Data Rate）是内存的一种类型，其特点是可以在每个时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据，从而有效地提高了数据...
DDR3学习 布线加原理认识
03-19
DDR3学习布线加原理认识 在现代电子计算机系统中，内存作为核心部件，其性能直接影响整个系统的运行效率。DDR3内存作为当前广泛使用的内存类型之一，拥有比其前代产品DDR2更高的数据传输速率和更优化的技术特性。...
FPGA DDR3及Verdi资料
11-13
FPGA（Field-Programmable Gate ...通过学习和掌握这些资料，开发者可以更好地理解FPGA与DDR3内存的协同工作，学会使用Verdi工具进行高效的硬件验证，并在设计高性能的FPGA应用时，能够熟练进行时序分析和约束设置。
DDR学习--分类、概念(一)
qq_52837539的博客
07-22 1995
（双倍数据率同步动态随机存取存储器）是一个双边沿采样、分时多通道、电容存储、可以读写的存储器。在内存中，其中每一个黑色的内存颗粒叫一个 Chip。所谓 Rank 指的是属于同一个组的 Chip 的总和。这些 Chip 并行工作，共同组成组成一个 64 bit 的数据，供 CPU 来同时读取。CPU 的内存控制器能够对同一个 rank 的 chip 进行读写操作。通常一个通道（channel）能够同时读写 64bit 的数据。内存字符串标识中的 2 R 表示该内存有 2 个 Rank。
内存DDR SDRAM中文版文档集合.zip
04-15
内部包含7个pdf文档，都是中文介绍，有图有文。分别介绍了DDR、SDRAM时序、原理、规范，学习内存的好资料。
DDR3规格说明书
12-13
Nanya公司设计的一款DDR3内存芯片规格。该规格描述了NT5CB(C)256M8IN/NT5CB(C)128M16INP两种IC规格
NANYA 南亚 DDR3规格书 datasheet
04-26
The 4Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3(L)) DRAM is a high-speed CMOS SDRAM containing 4,294,967,296 bits. It is internally configured as an octal-bank DRAM. The 4Gb chip is organized as 64Mbit x 8 I/O x 8 banks and 32Mbit x16 I/O x 8 banks. These synchronous devices achieve high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133 Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and  falling). All I/Os are synchronized with a single ended DQS or differential DQS pair in a source synchronous fashion. These devices operate with a single 1.5V ± 0.075V or 1.35V -0.067V/+0.1V power supply and are available in BGA packages.
DDR设计基础指南.pdf
12-12
DDR设计基础指南.pdf
关于DDR原理的经典讲解文档
08-21
关于DDR原理的经典讲解文档，高手进阶篇，有原理也有应用。值得反复学习
学习笔记| 一些关于DDR的基础知识
weixin_43578396的博客
07-10 1680
DDR5是一种正在开发的高宽带电脑存储器规格，它属于SDRAM家族的存储器产品。DDR5 SROM的主要特性是工作容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计带来4266至6400MT/s的I/O速度，电源电压降至1.1v,允许波动范围在3%。每个模块使用两个独立的32/40为通道。此外，DDR5将具有改进的命令总线效率，更好的刷新方案以及增加的存储体组以及获得额外的性能。
DDR5—新手入门学习（一）【1-5】
江湖小浪花的博客
05-21 4253
如果存储单元电容中存储的是正电荷（代表逻辑1），那么这些电荷将开始流向Bitline，但由于Bitline的寄生电容远大于存储单元电容，Bitline的电压只会从预充电阶段设定的参考电压Vref上升到一个略高的水平，通常表示为Vref+。当Bitline电压略高于/Bitline时，NMOS Tn2的栅极-源极电压差足够使其形成微小的导电沟道，允许电荷从SAN（Sense-Amplifier N-Fet Control，逻辑0电压，即0V）流向/Bitline，从而进一步降低/Bitline的电压。
DDR的基础知识与DDR开发学习笔记
a13341228561的博客
05-25 1077
由于DDR3的时序特别复杂，开发的时候需要配置两边的接口，一个是左边的用户接口，另一个是右边的控制接口，但是并不意味着我们要做全部的工作，IP核的左边的读写控制器需要自己开发，至于读写时序、预充电等等全部封装在IP核中，我们所需要做的就是调用这个IP核，但是前面的基础知识同样重要，因为作为一个FPGA开发工程师来讲绝对不能够浮于表面，也要知道这个IP核帮助我们实现了哪些功能。CAS是列选择，RAS是行选择，WE是读写控制（高电平读，低电平写），CS是片选信号，这四个信号均为低电平有效。
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