Nand flash 是一种存存芯片,但是它不同于内存,内存是可以直接读,直接写某块内存,但是Nand 和 Nor flash是需要发命令,来完成数据的存储。
Nand Flash 你如果要读一块地址,是需要发命令,发地址,然后才能读取地址上面的东西,写的时候也需要command and address.
Nand Flash 和Nor flash 也是不同的。
Nor Flash 读的时候,可以直接读,但是写的时候,需要发写命令。
Nand flash 是I/O口复用,即data端口可以发命令,也可以发地址,也可以发数据。但是需要根据Pin脚来选择,比如COMMAND LATCH ENABLE(CLE)
Nand flash 有几个引脚:
1. COMMAND LATCH ENABLE(CLE)
The CLE input controls the activating path for commands sent to command register.(在CLE高电平,这些命令被发送到命令寄存器
但是这需要伴随一个写脉冲的上升沿,才能写成功) on the rising edge of the WE signal
When active high,commands are latched into the command register through the I/O ports on the rising edge of the WE
2. ADDRESS LATCH ENABLE(ALE)
The ALE input controls the activating path for the address to the internal address register.
Addresses are latched on the rising edge of WE with ALE high.
把高电平拉高以后,为了把地址写到address register,但是也需要需要ALE high 并且在rising edge of the WE.
3. CHIP ENABLE(CE)上面有个-,代表低电平工作,
The CE input is the device selection control. When the device is in the Busy state, CE high is ignored, and
the device does not return to standby mode in program or erase operation.
我们怎么知选中哪块芯片,就是这个pin来选择的,低电平是代表选中这个芯片
4. READ ENABLE(RE)低电平读数据
The RE input is the serial data-out control, and when active drives the data onto the I/O bus. Data is valid
tREA aft

本文详细介绍了Nand Flash的工作原理和操作步骤,包括选中芯片、发命令、发地址、发数据以及读数据等过程。Nand Flash的读写需要通过特定的命令和地址,并依赖于多个控制信号如CLE、ALE、CE、RE和WE。了解这些操作对于正确使用Nand Flash至关重要。
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