硬件学习笔记之电容关键参数之直流电压特性和漏电流和绝缘电阻

硬件学习笔记之电容关键参数

前言：
我们介绍了电容环境参数的影响详情可以参考：
https://blog.youkuaiyun.com/waoshiwerr/article/details/120252734?spm=1001.2014.3001.5501
因为关于温度的影响我并没有很多的实例，只是从大部分的书籍上的出来的。下面我们介绍电容的几个关键参数。
1.静态容量：
我们都知道一个东西：电压特性那什么是电压特性？
电容器的实际静电容量值随着直流(DC)与交流(AC)电压而变化的现象叫做电压特性。该变化幅度越小，说明电压特性越好，幅度越大，说明电压特性越差。以消除电源线纹波等为目的在电子设备上使用电容器时，必须设想使用电压条件进行设计。
一般讲在额定电压是的电容值设定为静态容量
上述图片是引用的。
2.直流偏置特性：
一位大牛是这样说的：
https://www.eet-china.com/mp/a20205.html
直流偏置特性是指，对电容器施加直流电压时实际静电容量发生变化(减少)的现象。这种现象是使用了钛酸钡系铁电体的高介电常数类片状多层陶瓷电容器特有的现象，导电性高分子的铝电解电容器(高分子AI)和导电性高分子钽电解电容器(高分子Ta)、薄膜电容器(Film)、氧化钛和使用了锆酸钙系顺电体的温度补偿用片状多层陶瓷电容器(MLCC)上几乎不会发生这种现象图片就是我上面引用的图片，因此我们可以知道电容值是会随着电压的变化而变化的，至少在很