开学第一周

开学第一周,事情比较多,补考什么的,搞得心情也很乱,也是个人心理素质的问题吧,有些事情表面上不在乎,但实际上涉及的自身切身利益的,不可能置身事外的(补考不过是需要交钱的……),接下来马上都第二周了,要全身心的投入到课程和小组的东西学习中了,大二上学期,是一个惨痛的教训,一直自作聪明,上课也不去,导致期末一下子挂了三科,所以这学期,在抓紧小组的东西学习的同时,也要把专业课赶上去了,这也是这学期大的目标吧。

1、把专业课搞上去,不仅是不能挂科,也要把必要的搞懂弄通;

2、小组方面,在继续学习php的同时把Android的东西也搞一下,争取年前把安卓能够搞一遍,毕竟年后时间也不是太多了;

 以上是一些大的方面,在这一学期也要严格要求自己了,平时都要抓紧,才能把大的方面完成

       1、最少每两个星期看一本人文方面的书,并写出一些文字的东西

2、每一星期最少写两篇博客,csdn和博客园上面都要有的

3、每一星期看一本技术方面的书,厚点或者难懂的话,最多俩星期,不要出现图书馆借来的书不看就又给人家还回去了,这算什么?

再有就是生活方面的

1、节省着点生活费,毕竟家里也不容易,以后自己挣钱了,多花自己的;

         2、早睡早起,晚上就不熬夜了(12点之前都结束了,然后睡觉)、不在躺床上扣手机了;

         3、每天坚持锻炼,中午,晚上都做俯卧撑,过几天晚上还要去跑步,身体才是革命的本钱。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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