嵌入式之斋

预驱电路会将这些低电平信号转换为足够高的电压（通常在10V到20V之间），以确保MOSFET能够完全导通或截至，从而减少导通时的功耗和损失。输入信号（通常是来自控制逻辑或微控制器）经过预驱电路，被转换为能够有效驱动MOSFET门极的信号。MOSFET的开关速度取决于其充放电过程的快慢。预驱电路能够通过快速充电和放电MOSFET的门极电容来提高开关速度，从而减少导通和关断时的过渡过程，降低功耗和热量。总体来说，MOSFET预驱电路的设计目标是优化MOSFET的开关性能，提高效率并确保可靠的电路操作。

局部性是指计算机程序访问存储器时会出现时间局部性和空间局部性的特点，即被引用过的内存位置在不远的将来会被再次引用（体现时间局部性），被引用过的内存位置周围的内存位置也会在不远处被引用（体现空间局部性）。存储器山的概念最早由T. Stricker于1997年提出，其思想是把不同的存储器设备（如缓存、主存、辅存等）按照访问延迟的大小排列成一座“山”，从而反映出存储器的层次结构和访问性能。通过存储器山的分析，我们可以了解不同存储设备的访问延迟和带宽特性，从而优化程序和系统的性能。

作为一种全新的信息获取和处理方式，无线传感器网络可以应用在广泛的领域内实现复杂的大规模监测和追踪任务，而网络自身的定位是大多数应用的基础。基于距离的定位是通过测量节点间距来实现的。利用RSSI测距只需较少的通信开销和较低的实现复杂度，这在能量有限的网络节点中是非常重要的。　　在无线传感器网络中，位置信息对传感器网络的监测活动至关重要，事件发生的位置或获取信息的节点位置是传感器网络节点监测消息中所包含的重要信息，了解传感器节点位置信息还可以提高路由等等。基于距离的定位必须测量节点间间距，现常用的测距方式有

集成电路行业从来没有像今天一样被广泛地关注并引发大规模的讨论。这既有目前中美竞争的国家战略大背景，也是技术发展的阶段使然。肖克利实验室在加州成立的时候已经是五十年代中，可以说，中国在这个领域并没有历史包袱。冷战时期的美苏争霸，集成电路也没有成为焦点，因为当时电子系统的集成化远没有发展到现在的程度。实际上，直到世纪之交，单一标准的2G手机主板上还有相当多的分立模块和器件。现在回想那个时代，纸质的书信还承载着大量的日常交流，摩尔定律规划着半导体工艺按部就班地演进，而整个集成电路行业也在奥林匹克精神的指引下继续迈

滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 :去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。1. 关于去耦电容蓄能作用的理解.　　1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射.而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。..

在芯片领域，有一样叫光刻机的设备，不是印钞机，但却比印钞机还金贵。历数全球，也只有荷兰一家叫做阿斯麦（ASML）的公司集全球高端制造业之大成，一年时间造的出二十台高端设备，台积电与三星每年为此抢破了头，中芯国际足足等了三年，也没能将中国的首台EUV光刻机迎娶进门。但其实，早在上世纪80年代，阿斯麦还只是飞利浦旗下的一家合资小公司。全司上下算上老板31位员工，只能挤在飞利浦总部旁临时搭起的板房里办公。一出门就能看到板房旁边一只巨大的垃圾桶。出门销售，也只能顶着母公司的名义，在对手的映衬下，..

硬件EMC规范讲解电磁干扰的三要素是干扰源、干扰传输途径、干扰接收器。EMC就围绕这些问题进行研究。最基本的干扰抑制技术是屏蔽、滤波、接地。它们主要用来切断干扰的传输途径。广义的电磁兼容控制技术包括抑制干扰源的发射和提高干扰接收器的敏感度，但已延伸到其他学科领域。本规范重点在单板的EMC设计上，附带一些必须的EMC知识及法则。在印制电路板设计阶段对电磁兼容考虑将减少电路在样机...

直流电机（direct current machine）是指能将直流电能转换成机械能（直流电动机）或将机械能转换成直流电能（直流发电机）的旋转电机。它是能实现直流电能和机械能互相转换的电机。当它作电动机运行时是直流电动机，将电能转换为机械能；作发电机运行时是直流发电机，将机械能转换为电能。直流电机的电流、转速、电压的关系式为：　U=CeΦn+IaRa+2ΔUs　n=(U-2ΔUs-I...

什么是MOSFETMOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道...

一、过压保护　　过压保护是指被保护线路电压超过预定的最大值时，使电源断开或使受控设备电压降低的一种保护方式。　　过压保护应用　　常见的过压保护元器件或设备有防雷器、压敏电阻、避雷器等。在通信电源领域，为防止雷电瞬间高电压对其造成巨大损害，通常会配置压敏电阻对其进行过压防雷保护。当雷电产生的瞬间高电压施加在压敏电阻两端时，压敏电阻阻值变得无穷小，使得压敏电阻导通并将雷电产生的大电流引入大...

复旦攻读微电子专业模拟芯片设计方向研究生开始到现在五年工作经验，已经整整八年了，其间聆听过很多国内外专家的指点。最近，应朋友之邀，写一点心得体会和大家共享。　我记得本科刚毕业时，由于本人打算研究传感器的，后来阴差阳错进了复旦逸夫楼专用集成电路与系统国家重点实验室做研究生。现在想来这个实验室名字大有深意，只是当时惘然。电路和系统，看上去是两个概念，两个层次。我同学有读电子学与信息系统方向...

片内指做成芯片的集成电路内部，简称片内；外设是外部设备的简称，是指集成电路芯片外部的设备。集成电路芯片与外部设备的连接一般需要专门的接口电路和总线的连接（包括控制总线路、地址总线和数据总线等）。 由于大规模集成电路的技术发展得很快，现在许多芯片在制造时已经能够将部分接口电路和总线集成到芯片内部。对于这部分电路与传统的接口电路和总线是有区别的，为了加于区别可以称之为片...