BZOJ 1211 [HNOI2004]树的计数

题目链接

https://www.lydsy.com/JudgeOnline/problem.php?id=1211

思路

树转化成prufer序列,每个点在prufer序列的个数就是度数-1,因此答案就是

n!ni=1(di1)! n ! ∏ i = 1 n ( d i − 1 ) !

注意这道题需要分解质因数,这样就不需要写高精度了。

代码

#include <cstdio>
#include <cmath>
#include <algorithm>

const int maxn=150;

int read()
{
  int x=0,f=1;
  char ch=getchar();
  while((ch<'0')||(ch>'9'))
    {
      if(ch=='-')
        {
          f=-f;
        }
      ch=getchar();
    }
  while((ch>='0')&&(ch<='9'))
    {
      x=x*10+ch-'0';
      ch=getchar();
    }
  return x*f;
}

int n,d[maxn+10],p[maxn+10][maxn+10],ans[maxn+10],tot;

int main()
{
  n=read();
  if(n==1)
    {
      int x=read();
      if(x==0)
        {
          puts("1");
        }
      else
        {
          puts("0");
        }
      return 0;
    }
  for(int i=1; i<=n; ++i)
    {
      d[i]=read();
      if(!d[i])
        {
          puts("0");
          return 0;
        }
      tot+=d[i];
    }
  if(tot!=2*n-2)
    {
      puts("0");
      return 0;
    }
  for(int i=2; i<=n; ++i)
    {
      int v=i;
      for(int j=2; j<=sqrt(i); ++j)
        {
          while(v%j==0)
            {
              v/=j;
              ++p[i][j];
            }
          if(v==1)
            {
              break;
            }
        }
      if(v!=1)
        {
          ++p[i][v];
        }
    }
  for(int i=2; i<=n; ++i)
    {
      for(int j=2; j<=i; ++j)
        {
          p[i][j]+=p[i-1][j];
        }
    }
  for(int j=2; j<=n-2; ++j)
    {
      ans[j]=p[n-2][j];
    }
  for(int i=1; i<=n; ++i)
    {
      for(int j=2; j<=d[i]-1; ++j)
        {
          ans[j]-=p[d[i]-1][j];
        }
    }
  long long r=1;
  for(int i=2; i<=n; ++i)
    {
      if(ans[i])
        {
          for(int j=1; j<=ans[i]; ++j)
            {
              r*=i;
            }
        }
    }
  printf("%lld\n",r);
  return 0;
}
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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