(六)Zedboard上面实现DDR3的读写操作和BRAM的使用

本文介绍了Zedboard上的存储资源,包括DDR3、QSPI和SD卡以及BRAM。通过实例展示了如何在ARM端进行DDR3的读写操作,并详细阐述了使用VIVADO创建硬件设计,配置ZYNQ IP并生成比特流。接着,文章讲解了BRAM的使用,利用AXI Block Memory Generator IP和AXI BRAM Controller实现读写控制。在SDK中编写逻辑驱动程序,实现对BRAM高效读写操作。

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1.首先介绍一下Zedboard的存储资源
在Zedboard板子上面有三个存储器,分别是DDR3、QSPI和SD卡,另外在PL端有Block RAM存储器阵列,为了与DRAM(分布式RAM)区分开,所以叫块RAM。ZYNQ的每一个BRAM 36KB,7020的BRAM有140个(4.9M),7030有265个(9.3M),7045有545个(19.2M)。每一个BRAM都有两个共享数据的独立端口,当然是可以配置的,可用于片内数据缓存、FIFO缓冲。
在这里插入图片描述

2.本实验首先使用ARM端的DDR3,是纯PS的操作,也很简单。
首先建立VIVADO工程,创建block,添加ZYNQ IP,然后自动连好线,可以看见DDR已经引出来了;
在这里插入图片描述
,双击zynq,配置使能uart1,然后连接时钟线。就这样硬件上设计完成。完全不需要使用PL的资源,接下来就是生成顶层文件,生成比特流,导入到SDK。
在SDK中,创建工程,然后编写逻辑驱动程序。
先打开文件 “xparameters_ps.h”,可以看到DDR3的地址分配情况。

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