vzhenyi的专栏

Nonlinear Devices >Chapter 5: Devices and Models, MOS Print version of this Book (PDF file)BSIM4_Model (BSIM4 MOSFET Model)SymbolAvailable in    ADS and RFDESupported v

Nonlinear Devices >Chapter 1: Devices and Models, Diode Print version of this Book (PDF file)Diode_Model (PN-Junction Diode Model)SymbolAvailable in    ADS and RFDESupp

未必全面，只说与实际相关的区别。1. BJT比CMOS快为什么，BJT和MOS半导体结构不同，机制不同，导致在速度上的天然差别，BJT的跨导比MOS大为什么?(这里所说的BJT比CMOS快，不是针对开关管，而是作为放大信号的应用。)主要是受迁移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的迁移率是体迁移率，大约为1350cm2/vs。NMOS中是半导体表面迁移率，大约在400-600c

Defining BJT Noise EquationsEquations for modeling BJT thermal, shot, and flicker noise are as follows.Defining Noise EquationsThe mean square short-circuit base resistance noise current equatio

晶体：石英晶体谐振器，也有门外汉称为无源晶振，为石英晶片 镀上电极，装在一个支架上，加上外壳，就成了石英晶体谐振器（就是你看到的带两个腿的东西）。晶振：晶体振荡器，（门外汉称为有缘晶振），石英晶体谐振器再加上振荡、放大或者整形等电路， 封装到金属壳内，就成了石英晶体振荡器 ，一般有四个端子（电源端、地、输出、还有一个压控或者悬空端子） 。石英晶体谐振器简称晶体，石英晶体振荡器简称晶振。