vigour1000的专栏

一、单个三极管方式：DRV低电平时，Q２断开输出V＋电平；DRV高电平时，Q２导通输电低电平。这种输出高电平是通过R１实现的，驱动能力较差。输出低电平的能力较强。二、２个三极管方式：Q3基极高时：Q1基极被拉低而关断，通过D6把Q2栅极拉低。Q3基极低时：因R5的上拦使Q1基极被拉高而导通，把Q2栅极拉高。上面这种省个三极管，其输出低电平的效果不如下这个。三、３个三

kinetis内部有2个时钟：主时钟和RTC时钟。对于RTC时钟，内部已经集成了负载电容，外面只需接晶体谐振器即可。对于主时钟，内部集成了负载电容，当需要负载电容小于３０ｐＦ时，不需要外接电容了。低功耗模式用内部反馈电阻，外面无需也不能加反馈电阻。kinetis有4种不同的频率功耗模式，对应的接法也不同。下面列举之：振荡器模式连接低频（32k

当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下:(原文件名:3.3-5V转换.jpg) 上图中,S1，S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制

MOSFEＴ或IGBT保护方法有很多，有专门带保护的驱动电路，也有用康铜丝做电流采样的保护电路。专门带保护的驱动电路一般成本较高，用康铜丝做电流采样+比较器容易产生振荡。下面介绍一种无采样电阻的方法：上图中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是负载，D1是采样二极管，R2是上拉电阻。在Q1导通时D1的K极电压就是Q1压降，D1的A极电压在其基础上高了D1压降（Q1压降+D1压降）。D

下图是USBDM电路图的一部分，我们借其分析一下电平转换过程：假设左边RST_IO是5V电平标准，右边BR1端是3.3V电平标准。我们分别对双高高低电平进行分析：1、左向右高电平转换：当RST_IO为高电平5V时，若BR1电压低于VDD_BDM(3.3V),则Q2导通使BR1达到VDD_BDM(3.3V)，当BR1达到VDD_BDM(3.3V)时Q2截止，从而使BR1可以达到VDD_B

74HC/LS/HCT/F系列芯片的区别1、 LS是低功耗肖特基，HC是高速COMS。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路；2、 LS是TTL电平，HC是COMS电平。3、 LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求4、 LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。

说明一下  自从升级了这个 N9008ZMUDNB1之后  大家都知道不能用工程模式了吧  ?N9008的最新OTA推送1.首先  完美ROOT   这个自己去搜吧2.然后 安装   Xposed   神器不解释  安卓的cydia3.然后 在下载  附件中的网络切换模块  然后把激活3G网 开关 一下 关就好了  网络切换 你就看到那讨厌的不稳