本文详细介绍了DR（Digital Radiography）技术的分类，包括CCD、一线扫描、非晶平板等，以及各类型的主要厂家。重点讨论了碘化铯与硫氧化钆结合的平板技术，分析了各厂家如Siemens、Philips、GE、Varian等的产品特点。同时，文章提到了CCD型DR和线扫描技术的优缺点，并对比了非晶硒和非晶硅平板探测器的性能差异。
不同厂家采用DR平板的情况如下（根据不同的平板技术分类）
1、碘化铯 ( CsI ) + a-Si + TFT
- 国外厂家：Siemens西门子、Philips飞利浦、GE通用电气、Thomason汤姆逊、Kodak柯达
- 国产厂家：万东、上医厂、长青、泛太
- 平板厂家：Trixell 公司（解像度143µm2、14bit、CsI为柱状结构）EG&G公司（解像度200µm2、14bit、CsI为针状结构）
2、硫氧化钆 ( Gd2O2S:Tb ) + a-Si + TFT
- 国外厂家：Varian瓦里安、Canon佳能、Toshiba东芝、Shimadzu岛津
- 国产厂家：暂无
- 平板厂家：Varian公司,Canon公司（解像度160µm2、12bit、CsI为针状结构）
3、碘化铯 ( CsI ) / 硫氧化钆 ( Gd2O2S ) + 透镜 / 光导纤维 + CCD / CMOS
- 即CCD型DR
- 开发厂家：ssRay公司、Wuestec公司、新医科技
4、CsI ( Gd2O2S ) + CMOS
- 此类技术受制于间接能量转换空间分辨率较差的缺点，虽利用大量低解像度 CMOS 探头组成大面积矩阵，尚无法有效与 TFT 平板优势竞争。
- 开发厂家：CaresBuilt公司、Tradix公
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