【SDRAM/DDR结构】之四 存储单元寻址

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#嵌入式 #DDR #寻址 #CAS latency

本文详细介绍了SDRAM/DDR结构中存储单元的寻址过程，涉及行地址、列地址、RAS和CAS延迟（tRCD）以及CAS潜伏期（CL）等关键概念。存储单元寻址流程包括输入命令和地址信息、行激活、列选择及数据输出，其中tRCD指行有效到读/写命令的延迟，CL是从CAS命令到数据输出的时间。

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【SDRAM/DDR结构】之四 存储单元寻址

  • 会解释的概念
  1. 存储单元寻址；
  2. 时序
  3. RAS，CAS latency；
    如果对以上概念有疑问可以看这一节。

整体来说一次随机存取从寻址到发出数据的流程如下：

输入命令和地址信息->经地址解析器分集成bank和word选择（即行选择）->存储单元进行再存储和预充电->列选择（此时存储单元已被定位）->存储单元的数据被输出到内部数据总线->输出电路输出数据。

随机读取

下面具体说明：

  1. 发出L-bank和行地址，同时发出，命令称为“行有效”或“行激活”行激活信号
  2. 发出列地址和具体操作时读还是写操作，同时发出，命令为“读/写命令”
    列地址信号

从行有效发出到发出读/写命令，之间有一段delay，称为tRCD（RAS to CAS delay）单位是时钟周期数，这段时间会进行再存储和预充电
RCD
3. 当列地址被选中后，会触发数据传输，这里会有几个概念

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