主要工作流程:
1.分别用三极管Q1、Q2控制P-MOS管Q3的通断。
2.Q1控制Q2的通断。
3.Q1、Q2的基极分别接一个启动电容C1、C2。 任一时刻按下开关S时,电源VCC都会对C1、C2进行充电,容值越大充电越慢。C1充满时Q1导通,Q1导通时,Q2会强制截止,Q2截止时,Q3也截止。C2充满时,Q2导通,Q2导通Q3就导通。
4.当C1远大于C2时,结果就时短按开,长按关,一直长按先开后关。
注意:PMOS管的特性,由于结电容的存在,上电瞬间,GS间电压不可能突变,此时的PMOS相当于一个三极管,且处于超级放大状态。也就是导通了!!!等结电容充满电后,PMOS才会关闭。如果输入电流很大,并且后端有一个ESR很小的电容,那么这个电容在这个瞬间就充满了,这个电容就会让这个电路整体导通了。
具体现象是:重新上电瞬间电路自行导通了,关机,关机后开机又能正常工作。
解决办法:
1.解决结电容,使用更小的上拉电阻。
2.解决后端电容,直接去掉(MOS管电阻都很小,放前端也行),或者给后端电容串联个电阻来增加充电时间,或者用更大的电容来加大充电时间。
3.增加后端功率,快速口吸收这瞬间的浪涌
4.加大C2,让它的充电时间大于PMOS的导通瞬间来跳过这个浪涌
电路仿真地址: