ddr控制器参数对照表

最新推荐文章于 2025-03-25 19:37:55 发布
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分类专栏： DDR3 fpga altera
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/u012923751/article/details/90765926
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本文介绍了DDR控制器中men_a接口的地址总线，它与内存内部地址AFI_addr的关系，通常men_a的两倍等于AFI_addr，因双沿采样特性。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

 

men_a是指men接口的地址总线，并非内存内部的地址（行/列/bank等构成=AFI_addr）。

一般men_a*2=AFI_addr，因为双沿采集。

最低0.47元/天 解锁文章
【DDR3 控制器设计】（4）DDR3 的读操作设计
记录学习历程
10-24 4224
直接对 DDR3 进行读写时序控制是比较困难的，接口复杂且多，但是通过调取 DDR3 控制器 MIG IP 核，间接的对 DDR3 进行控制就会方便很多，控制器给用户端预留了接口，通过查看 MIG IP 核用户手册，对 IP 核进行读控制。
DDR5内存时序参数大解析：这些代码你真的读懂了吗？
最新发布
weixin_43199439的博客
05-27 207
大家都说 DDR5 是新时代的记忆魔法棒 📦✨，频率更高、带宽更大、功耗更低。但你真的了解那些出现在 BIOS 里的是什么吗？你知道这些参数对性能和稳定性有多重要吗？本篇我们就带你“人话”解读 DDR5 的核心时序参数，并告诉你这些设置如何影响你的系统表现！
DDR3内存控制器参数设计实例参考
01-06
本文档基于PowerPC P1020 CPU硬件手册和DDR3芯片H5TQ1G63DFR H9C为例，演示了内存控制器参数的配置过程，对于新开发单板的初学者有用。每个板子的参数与硬件，甚至芯片批次有关系，不可能完全一样，不要照抄这些参数，而是看思路。
DDR控制器
11-08 3187
低功耗特点，能自动进入到active power down、precharge power down或self-refresh状态（我们现在只需要知道，这是DDR SDRAM的三种低功耗的工作模式）。在全速模式下，控制器数据宽度：SDRAM数据宽度=2：1或4：1或8：1；在半速模式下，=4：1或8：1或16：1。SCL：Self-Calibration Logic，通过寄存器编程方式实现DDR物理层信号校准的逻辑，这部分逻辑全部由硬件实现，软件需要在物理层自动校准之前对寄存器进行初始化。
DDR技术（简易篇）
weixin_45331044的博客
03-25 270
简单介绍DDR技术及市面上几种不同DDR之间的区别。
DDR内存控制器
daha1314的博客
12-07 2799
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存...
Zynq7000系列FPGA中的DDR内存控制器
u011565038的博客
07-15 3038
DDR内存控制器是一个高度集成的组件，支持多种DDR内存类型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通过精心设计的架构来优化内存访问效率。
DDR3 DDR4 DDR5参数详细解释,手把手教你学习流程，反复复习
06-20
- **CPU发送地址和命令**：CPU在需要访问LPDDR5内存中的数据时，首先通过内存控制器向内存发送一个地址和相应的命令（读取或写入）。这一过程是所有数据读写操作的基础。 ##### 2. 地址解码和行选通 - **行地址选择...
最全CPU参数表参数表
06-15
CPU内建的内存控制器决定了它可以支持的内存类型（DDR4等）、速度和最大容量。兼容性则关系到能否与主板上的内存插槽匹配。 集成显卡也是现代CPU的重要组成部分，特别是对于那些不打算使用独立显卡的用户。集成显卡...
戴尔DELL笔记本最新BIOS中英文对照表.docx
10-08
最新的BIOS中英文对照表提供了详细的系统信息，方便用户理解和调整设置。下面将详细介绍这些选项： 1. **常规信息(General)** - **系统信息(System Information)**：这部分列出系统的硬件基本信息，包括BIOS版本、...
DDR3控制器
fgupupup的博客
08-30 6029
开发板：AX516 FPGA：spartan 首先，完成约束文件的修改，使之与自己的硬件设备一致，一般有以下几点： 1、 VCCAUX 电压修改 CONFIG VCCAUX=3.3; # Valid values are 2.5 and 3.3 2、 系统时钟输入的周期，需要跟PCB板上的晶振频率一样。 NET "memc3_infrastructure_inst/sys_clk_ib...
DDR控制器详细设计方案
02-13
本文档讲述了DDR控制器的详细设计过程，并使用镁光的DDR model进行 仿真验证
DDR3控制器（一）DDR3 IP调用
cuisitan的博客
06-26 3114
MIG IP核（Memory Interface Generator）是Xilinx提供的IP核，专门用于处理存储器接口的生成和管理。它的主要功能是简化和优化FPGA与外部存储器（如DDR SDRAM）之间的数据传输和通信。需要说明的是，DDR3 IP是软核，因此需要占用逻辑资源，在FPGA选型时需要注意。
DDR的Controller、Channel、Chip、Rank、Bank、Row、Column、Sided、Dimm
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11-05 2万+
DDR的Controller、Channel、Chip、Bank、Rank、Row、Column、Sided、Dimm
硬件知识：DDR3、DDR4和DDR5内存条有啥区别，看完你就懂
IT技术分享社区
10-19 1万+
DDR4和DDR5相对于DDR3都提供了更高的性能和效率。然而，它们需要配备相应的主板和处理器才能正常运行，并且价格相对较高。选择哪种内存类型取决于您的具体需求和预算。如果您的计算机用途较为简单，DDR3内存已经足够满足您的需求，但如果您需要更高的性能和更多的扩展空间，可以选择DDR4或DDR5内存。比较重要的是，DDR3、DDR4和DDR5的内存都是不能混用的。
DDR3控制器 1；
weixin_44101336的博客
06-25 999
DDR3 CONTROLLER 测试 当awfifo写满后awready不会拉高，当wfifo写满后wready也不会拉高；测试点2：axi 对arfifo写满，写满后无法写入； 这里可以ARFIFO的虚满信号对outstanding的个数进行配置 测试点3：在axi的写地址队列，或者写数据队列中插入axi的读地址队列；在axi的读地址队列中插入写地址队列。 测试点4：这里是采用轮询机制对AWFIFO和ARFIFO进行取数据到bank队列中。AWF......
ddr控制器随笔
flaoter的博客
07-23 5334
下图是依据使用过的cadence ddr controller IP画出的SOC中常用的ddr controller的结构图。 ddr控制器的数据和指令输入来自AXI Bus，AHB Bus等，它们连接的是访存指令的发起方，如CPU, GPU, DMA控制器等。ddr控制器输出的数据和指令通过DFI连接的ddr phy访问外设ddr sdram。下面对Arbiter和Command Queue
DDR2 SDRAM（四）控制器设计初步
qq_69954392的博客
10-28 954
对于DDR系列存储器的使用，常常会直接例化成熟的IP，Quartus II中可以调用DDR2 SDRAM Controller with ALTMEMPHY，Vivado中则可以调用MIG，在数字IC领域也有相关的IP核可以直接使用，一定程度上避开了了DDR接口设计这个难题，而进一步对IP核进行封装可以使DDR的使用更加简单。但出于学习的目的，在本系列文章中选择使用代码实现DDR2 SDRAM的控制器，在后续DDR3 SDRAM的学习中再使用IP核。
XLINX系列之Zynq-7000系列DDR内存控制器详解
JY6669991010的博客
11-24 4330
DDR内存控制器支持DDR2，DDR3，DDR3L和LPDDR2设备，包括三个主要块：AXI存储器端口接口（DDRI），带有交易调度器（DDRC）的核心控制器和具有数字PHY（DDRP）的控制器。它具有四个64位同步AXI接口的DDRI块接口，可同时为多个AXI主机提供服务，每个AXI接口都有自己的专用交易FIFO。DDRC包含两个32输入内容可寻址存储器（CAM），以执行DDR数据服务调度，以最大限度地提高DDR内存效率。它还包含用于低延迟通道的飞频通道，以允许访问DDR存储器而不通过凸轮。
tm5 5opt 报错对照表
05-11
<think>好的，用户现在需要关于TM5测试工具在5opt配置下报错的对照表或解决方案。根据用户提供的引用[5]，里面详细列出了不同错误序号的可能原因和解决方法。我需要先仔细分析这些信息，并结合之前的回答内容，整理出一个清晰的对照表。 首先，用户之前的问题是关于TM5在50pt条件下的报错，现在具体到了5opt配置。引用[5]中的信息显示，每个错误序号对应不同的电压问题或设置问题，比如序号0可能涉及SA及内存电压不足，而序号4是内存电压不够等。需要将这些信息结构化，方便用户查阅。 接下来，需要确保回答符合用户的要求，即提供对照表或解决方案，并且参考之前的引用和回答。用户可能是在进行内存超频或稳定性测试时遇到这些问题，因此解决方案需要具体到如何调整电压、频率或时序参数。 另外，用户可能对某些术语不太熟悉，比如SA电压、IO电压、IMC等，可能需要简要解释这些术语，但用户之前的问题中可能已经有一定了解，所以保持简洁即可。同时，注意使用中文，保持回答清晰易懂，并遵循格式要求，如行内数学公式使用$...$，独立公式用$$...$$，但在这个问题中可能不需要数学公式，但需要确保代码块格式正确。 还需要检查是否有其他可能的错误原因，比如硬件兼容性或温度问题，但根据引用[5]，主要问题集中在电压和时序设置上。因此，解决方案应侧重于调整这些参数。 最后，生成相关问题，帮助用户进一步排查问题，比如如何调整时序，如何测试稳定性等。确保相关问题与用户当前的问题相关，并且能提供更多帮助。</think>### TM5 5opt 报错对照表与解决方案 根据引用[^5]提供的TM5报错序号与硬件调试经验，以下是 **5opt配置下常见报错序号对照表及对应解决方案**。该表针对内存超频或稳定性测试中的典型问题，结合电压、时序调整逻辑整理： | **报错序号** | **可能原因** | **解决方案** | |--------------|-----------------------------------------------------------------------------|---------------------------------------------------------------------------------------------| | **0** | SA（System Agent）或内存电压不足 | 逐步增加SA电压（如每次+0.01V）或内存电压（如每次+0.02V）。若加压无效，降低内存频率或放宽CL值（如CL16→CL18）[^5]。 | | **1** | SA、IO或内存电压不足 | 优先检查并增加内存电压，若问题未解决再调整SA/IO电压。需注意三者间的平衡[^5]。 | | **4** | 内存电压不足或内存控制器（IMC）频率受限 | 直接增加内存电压（如从1.35V→1.4V）。若频率过高导致IMC不稳定，需降低内存频率或调整第二时序参数（tRFC等）[^5]。 | | **5** | SA电压过高 | 逐步降低SA电压（每次-0.01V），直至错误消失。 | | **7** | 内存电压不足（若与5号错误同时出现） | 优先增加内存电压，无需调整SA电压。 | | **12** | SA电压过高 | 降低SA电压（每次-0.01V），观察稳定性。 | | **13** | 第二时序（tRCD、tRP、tRAS等）设置过紧 | 放宽第二时序参数（如tRCD从18→20），或调整tRFC（典型值：300ns×内存颗粒频率）[^5]。 | | **14/15** | 内存控制器（IMC）稳定性不足，通常由CPU或内存频率过高导致 | 降低内存频率（如DDR4-4000→3800）或CPU缓存/核心频率，检查SOC电压是否充足（建议1.1V~1.2V）[^5]。 | --- ### 调试步骤建议 1. **电压调整优先级** - 内存电压（DRAM Voltage） → SA电压（CPU VCCSA） → IO电压（CPU VCCIO） - 示例调整范围： $$ \text{DRAM Voltage: } 1.35V \rightarrow 1.45V \ (\text{安全上限}) \\ \text{VCCSA/VCCIO: } 1.20V \rightarrow 1.30V \ (\text{建议不超过1.35V}) $$ 2. **时序优化逻辑** - 优先放宽**第二时序**（如tRFC、tFAW、tWR），再调整**第三时序**（tRDRD、tWRWR等）。 - 示例代码（通过BIOS或工具调整）： ```python # 伪代码：模拟时序参数调整 def adjust_timings(tRFC, tFAW): if error_code == 13: return {"tRFC": tRFC + 50, "tFAW": tFAW + 4} else: return None ``` 3. **硬件兼容性验证** - 使用MemTest86或HCI MemTest验证单根内存条的稳定性。 - 检查主板QVL（认证内存列表）确认内存型号兼容性[^3]。 --- ### 总结 5opt报错的核心矛盾是**电压、时序、频率三者的平衡**。调试时需遵循“加压优先→降频次之→放宽时序最后”的优先级，同时避免电压超限（如DRAM电压>1.5V可能损坏颗粒）。若频繁报14/15错误，通常需降低频率以适配IMC极限[^5]。 --- ### 相关问题 1. 如何通过TM5日志定位具体错误类型？ 2. 内存超频中SA/IO电压的安全范围是多少？ 3. 调整tRFC时序对稳定性的影响有多大？
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