u011878611的博客

P-MOS场效应管，适合源极（source）连接VCC，漏极（drain）连接负载到GND，当栅极（gate）电压低于源极（source）电压超过阈值电压（Vth）后，P-MOS场效应管导通。N-MOS场效应管，适合源极（source）连接GND，漏极（drain）连接负载到VCC，当只要栅极（gate）电压高于源极（source）电压超过阈值电压（Vth）后，N-MOS场效应管即可导通。①使基区（b）控制电平由高变低时，基区（b）能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；

不过要注意，热量在传导过程中，任何介质，以及任何介质之间，都有热阻的存在，当然热阻小时可以忽略。把此时的条件代入公式Tc=Tj- P*Rjc得出：Tc=150-(1.5-0.012*(Tc-25))*83.3，公式成立，说明我们的推论是没有问题的。比如，假设管子的功耗为1W，那么，允许的壳温Tc=150-1*83.3=66.7度。要特别说明，这里说的环境温度降额系数指的是最大额定功耗本身的降额，为了保证晶体管的可靠性，设计降额还需在环境温度降额系数的基础上再降额0.5至0.75左右！

表示PN结两端的正向压降，一般有，即。空穴由 P 区扩散到 N 区后，并不是立即与 N 区中的电子复合后消失，而是在一定的路程（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定的空穴浓度分布，靠近 PN 结边缘的浓度高，离 PN 结越远，浓度越小。由于二极管外加正向电压 时，P 区的空穴向 N 区扩散，N 区的电子向 P 区扩散，不仅使得耗尽层变窄，而且使得载流子有相当数量的存储，在 P 区内存储了电子，在N 区内存储了空穴，它们都是非平衡少子。

在给定的最大箝位电压下，功耗PM 越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM 下，箝位电压VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS 损坏。尔后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS 两极的电压也不断下降，最后恢复到起始状态。VWM 是TVS 最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS 的两极间时，它处于反向关断状态，......

学习自记分享：S源极，D漏极，G栅极如下图，PMOS就是个P(屁），P总是往外放的，箭头向外的就是PMOS;对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。 上图出现的二极管为体二极管，在驱动感性负载（马达）时很重要NMOS管的主回路电流方向为D→S，S端接地（低电位），导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）

慢衰减相当于加在电机绕组两端电压消失，将电机两端正负短接。快衰减相当于加在电机绕组两端电压消失，将电机两端快速接上与驱动电流相反的电流。快速衰减时为啥衰减的比慢速衰减要快？从图上看，快速衰减时电机相当于充当了发电机，成了一个电源，这个发电机和系统内原来的电源正正相连，负负相连，那问题来了，为啥这样就能快速衰减了？因为一个系统里不止有H桥这部分的电路，还有其他部分的电路和H桥一样挂在电源+-极之间，而快速衰减时，H桥充当了一个电源，给系统内其他部分的电路提供电流，相当于和原来的电源是一个并联，电机内电感释放的

混合式四线双极性步进电机：步进电机的整步、半步、细分：整步：A-B-A'-B'各加一次脉冲完成一圈旋转360度，但42步进电机转子齿数50，两相混合式步进电机的基本步距角为360/50/4=1.8度/步,（每4拍才转一个齿）。一共4*50=200个脉冲转一圈；半步：配上半步驱动器后，步距角减少为0.9度；细分：配上细分驱动器后。其步距角可细分达256倍（0.007度/微步）流过电机绕组电流波形： 细分实现：假设电机转矩需要电流为2A，A相接收到一个脉冲后就会达到2A（电流设置会控制在2A），细分后接收到一个

构造上通常按照转子特点和定子绕组进行分类，下面将详细介绍这两种类型的分类。 按照转子分类，有三种主要类型：反应式（VR型）、永磁式（PM型）、混合式（HB型）。反应式定子上有绕组，绕组由软磁材料组成。其结构简单、成本低、步距角小，可达1.2度，但动态性能差，效率低、发热大，可靠性难以保证。永磁式永磁式步进电机的转子用永磁材料制成，转子的极数与定子的极数相同。其特点是动态性能好、输出力矩大，但这种电机度差，步距角大（一般为7.5度或15度）。混合式混合式步进电机综合了反应式和永磁式的优点，其定子上有很多相绕组

学习自记：更新中 针对CP1 CP2和VCP、VM解释：在这首先需要连接NMOS和PMOS的MOSFET组合形式，高端门驱动电压需要高于低端门驱动电压。电荷泵的基本原理：给电容充电，把电容从充电电路取下以隔离充进的电荷，然后连接到另一个电路上，传递刚才隔离的电荷。如下图最简单的电荷泵，假设二极管为理想二极管。跨接电容A端通过二极管接Vcc，另一端B端接振幅Vin的PWM方波。当B点电位为0时，A点电位为Vcc；当B点电位上升至Vin时，因为电容两端电压不变，此时A点电位上升为Vcc+Vin。所以从图中可知，

电容的本质：两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。 电容量的大小：电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。在电路图中通常用字母 C 表示电容元件。电容量的大小公式： ：两极板间介质的介电常数S：两极板间的正对面积k：静电常数，等于 k=8.987551×10^9N·m^2/C^2d：两极板间的距离化简后的公式是： 想使电容容量大，有三种方法：

常用电阻阻值表：电阻阻值是离散的，并不是所有阻值的电阻都有生厂，要根据需求进行选择，常用电阻阻值表如下： 阻值表来源：电阻标准由 IEC（国际电工委员会）制定，标准文件为 IEC60063 和 EN60115-2。电子元器件厂商为了便于元件规格的管理和选用，同时也为了使电阻的规格不至太多，采用了统一的标准组成的元件的数值。电阻的标称阻值分为 E6、E12、E24、E48、E96、E192 六大系列，分别使用于允许偏差为±20、±10%、±5%、±2%、±1%、±0.5%的电阻器。其中以 E24 ...