flash 与CODE memory ，ROM与Xdata

1、IAR环境会生产下面的map图

 112 416 bytes of CODE  memory                                          256falsh

      35 bytes of DATA  memory (+ 73 absolute )
   6 260 bytes of XDATA memory   8KRAM
     194 bytes of IDATA memory
       8 bits  of BIT   memory

     487 bytes of CONST memory

2、falsh与ROM ,RAM的区别

8K的flash是有8*1024个字节，一条指令可能有1~4个机器码，即1~4个字节，其中1~2机器码的指令使用最为频繁，所以这样算，大约可以写4000~8000条指令。一般的应用是写不到这么多的指令的。但是用于存储其他数据，例如汉字，数字点阵代码可能会超出预算。对于真的不够用的情况，建议楼主直接买块大容量的片。扩充flash不是很可取，增加了系统的不稳定因素，又提升了板的面积，布线难度。假如真的要扩容，可以有很多办法。扩展EEPROM(现常用256K~1M)，或扩展基于SPI总线的flash memory(主流32M~128M)，此两个总线驱动程序简单，方便扩展。

单片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~1