关于掉电保存数据的思考

我是搞仪表的,基本工作简单说就是弄个人机界面把一些参数存储到flash。程序就是根据这些参数运行,实现一个个软件功能。有些软件模块需要记忆一些变量,目的是再次上电后能继续运行。为了实现这个功能我们基本上有两条路可以走。一是用电池给ram供电,掉电不丢;二是掉电进掉电中断,把你要保存的数据保存下来。

我们以前都是走第一条路的,走的还不错。主要的问题就是不同的时间点掉电,数据可能没有完全修改完,这样的数据是没有意义的,需要恢复到正确值。办法就是弄AB两份,通过校验,取正确的一份。麻烦是麻烦,但是总是能弄好。

最近出于对成本的考虑,领导想走第二条路。前几年公司里有人这样走过,但是没走通,原因是时间不够。以前用51的芯片,现在换成STM32的了,鸟枪换炮,再试试。

领导让再试试我们做马仔的只能硬着头皮去试试。

我首先考虑的是怎么存的问题。肯定不能像第一条路那样搞n多标志位,以前咱不懂,但是年纪小精力足,愣是把这么乱的逻辑弄清楚了。现在知道痛了肯定不能这么搞。原则一:逻辑要尽量简单。

以前为了支持在任何地方掉电不错,所以逻辑做的复杂了。那么现在能不能不让他在任何地方掉电,让他在我指定的几个地方掉电呢?当然可以。基本思路出来了:中断里置标志位,在主循环里去查找。一旦发现就存储,存好就死在那里等掉电。

试验结果:没戏!50%成功率都危险。原因是有些软件模块耗时挺长的,等轮到检测代码时已经掉电掉的差不多了。看着各个模块里被插满掉电检查函数的时候,我知道这条路也不行。

存看来只能在中断里存了。有些和flash无关的模块当然没有问题,有些模块本身是要操作flash的。这个难不倒我,做个互斥,和flash相关的模块在处理完后赶紧去查询掉电中断,如果已置起就赶紧保存数据。

这么一搞成功率一下子升到95%。没戏,我要的是200%。王八盖子的,不能倒在胜利的大门前。开始肯定怀疑是最坏情况下时间不够(正在处理flash时掉电),通过示波器观察时间足够。那是怎么回事?

思考了半天,难道我在开机时就进了掉电中断?试验了一下还真有这样的情况。那就简单了,延时一下,等电压稳定后再开中断。初步掉电了200次都正确。周末在做掉电测试。欲知结果,听下回分解吧

<think>嗯,用户询问STM32F0在低功耗模式下是否支持数据保存到Flash,这个问题需要仔细分析。 首先想到的是Flash存储器的特性。Flash在写入时需要较高压和特定时序,低功耗模式下主时钟可能停止降频,这会影响Flash操作。根据引用[3]的内容,备份路由VBAT供,但Flash属于主源域[^3]。 接着考虑低功耗模式对Flash的影响。停止模式下Flash处于断电状态,无法进行写操作[^4]。待机模式整个源域关闭,Flash完全断电[^1]。睡眠模式虽然Flash供正常,但核心时钟停止,无法执行写操作指令。 再思考可行的解决方案。用户可能需要保存的是关键数据,这时应该使用备份寄存器。引用[3]提到备份寄存器由VBAT供,在低功耗模式下仍能保持数据[^3]。RTC和备份SRAM也是可行的选择。 最后想到操作注意事项。如果必须在低功耗模式下保存数据,需要短暂唤醒系统,执行Flash操作后再进入低功耗。引用[4]展示了通过SystemClock_Config()重新配置时钟的唤醒流程[^4]。 用户可能遇到的实际场景是:设备在低功耗运行时需要记录某些数据,但担心Flash不可用。需要明确告知哪些存储介质可用,以及如何安全地进行存储操作。</think>关于STM32F0在低功耗模式下保存数据到Flash的问题,以下是关键点分析: ### 核心结论 1. **不支持直接操作**: - 在**停止模式 (STOP)** 和**待机模式 (STANDBY)** 下,Flash控制器完全断电,无法执行任何读写操作[^3][^4]。 - 在**睡眠模式 (SLEEP)** 下,虽然Flash供正常,但内核时钟停止,无法执行写入指令[^1]。 2. **可行的数据保存方案**: - **备份寄存器 (Backup Registers)**: - 由VBAT引脚供(纽扣池),在低功耗模式下数据不丢失 - 容量有限(STM32F0通常为4-5个16位寄存器) - 操作方式:直接读写`RTC->BKPxR`寄存器 - **备份SRAM (Backup SRAM)**: - 部分型号提供(如STM32F09x),同样由VBAT供 - 容量通常为2-4KB - **RTC数据存储区**: - 利用RTC的日历/闹钟寄存器存储用户数据 3. **临时唤醒方案**: ```c // 进入停止模式前保存关键数据到RAM volatile uint32_t tempData = 0x12345678; // 进入停止模式 HAL_PWR_EnterSTOPMode(PWR_LOWPOWERREGULATOR_ON, PWR_SLEEPENTRY_WFI); // 被唤醒后(如EXTI中断) SystemClock_Config(); // 重新配置时钟[^4] HAL_FLASH_Unlock(); // 将tempData写入Flash HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, FLASH_ADDR, tempData); HAL_FLASH_Lock(); ``` ### 关键限制说明 | 低功耗模式 | Flash可操作性 | 推荐替代方案 | |------------------|---------------|-----------------------| | **睡眠模式** | ❌ 写操作失败 | 备份寄存器/RAM保持 | | **停止模式** | ❌ 完全断电 | 备份SRAM/VBAT域存储 | | **待机模式** | ❌ 完全断电 | 仅VBAT域存储可用 | > ⚠️ **重要提示**:Flash写入需要稳定的高频时钟(通常≥16MHz),而低功耗模式会关闭大幅降低系统时钟[^2]。任何Flash操作必须在**完全唤醒状态**(恢复主时钟后)执行[^4]。 ### 替代方案对比 | 存储介质 | 保持能力 | 容量 | 写入速度 | 功耗影响 | |---------------|-------------------|-----------|----------|------------| | 备份寄存器 | VBAT供掉电 | 80 bits | 极快 | 无 | | 备份SRAM | VBAT供掉电 | 2-4KB | 快 | 无 | | EEPROM | 需外部器件 | 大 | 慢 | 需唤醒系统 | | Flash | 主掉电丢失 | 大 | 中等 | 需完全唤醒 | ### 操作建议 1. **关键小数据** → 使用备份寄存器 2. **中等数据量** → 利用备份SRAM(若型号支持) 3. **大批量数据**: - 暂存到RAM - 唤醒后集中写入Flash - 参考代码片段: ```c void SaveToFlashAfterWakeup(void) { // 确保系统时钟恢复(CubeMX生成的函数) SystemClock_Config(); // Flash解锁+擦除+编程+上锁流程 HAL_FLASH_Unlock(); FLASH_EraseInitTypeDef erase = {.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES, .PageAddress=0x0800F000, .NbPages=1}; uint32_t failPage; HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &failPage); uint32_t dataAddr = (uint32_t)&savedData; for(int i=0; i<DATA_SIZE; i+=4) { HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, FLASH_ADDR+i, *(uint32_t*)(dataAddr+i)); } HAL_FLASH_Lock(); } ``` > 引用说明:STM32F0的Flash在低功耗模式下无法访问,需唤醒至正常模式操作[^1][^3][^4],备份域存储是低功耗数据保存的最佳选择[^3]。 --- ###
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值