旁路和去耦

最新推荐文章于 2023-08-18 14:43:07 发布
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分类专栏： 硬件电路 文章标签： 电容
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/u010392040/article/details/82379782
博客介绍了旁路和去耦的作用，旁路是为输入端做补给，去耦是使输出端不影响输入端，属于信息技术相关概念。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

旁路是指给输入端做补给，去耦是指让输出端不影响输入端。

透彻解析旁路、去耦的联系与区别
脱去三千烦恼丝
11-25 1743
耦合是指两个或两个以上的电路元件或电网络等的输入与输出之间存在紧密配合与相互影响，并通过相互作用从一侧向另一侧传输能量的现象。说白了就是上下两级会相互影响的现象叫做耦合。但是因为电路中前后级的需求电流不同，这时就会对前后级电路产生冲击，耦合电容就是吸收这些冲击的。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路电容是把输入信号中的...
旁路和退耦电容方面的问题讲解
08-15
在电子电路设计中，旁路电容和退耦电容是至关重要的组成部分，它们的作用是减少电源噪声，确保电路的稳定运行。旁路电容主要功能是为信号中的高频噪声提供一个低阻抗路径，避免这些噪声进入敏感的电路部分。而退耦...
旁路（输入）和去耦（电源和输出）
学海无涯的专栏
07-08 9708
1，旁路电容和去耦电容基础知识 http://www.elecfans.com/d/729492.html 2，旁路和去耦的区别 https://www.sohu.com/a/372980908_656620 那先来帮大家缕一缕，网上的主要解答，看看是不是有什么可以借鉴和思考的地方。当然，这只是我们的一家之言，扛精退散： 解答一 点评：接下来，还有类似下面的图片来对上述文字进行补充说明： 那是不是有图就有真相了呢？虽然这种说法可能很容易被大多数工程师所接受，但是，从电容所处位置不同
电容：旁路与去耦（转）
neha的博客
05-10 514
去耦就是旁路，旁路不一定是去耦！旁路与去耦是不是同一个层面的概念，相当于水果与苹果的区别，光头与和尚的区别，如下图所示：我们举几个例子来看看，如下图所示FPGA芯片附近的100nF小电容：对于数字电路中的100nF小电容，你可以认为它是旁路电容，也可以认为是去耦电容，甚至可以认为是耦合电容（将噪声耦合到地了），只不过很少有人这么称呼。电源滤波电路如下图所示：对于1000uF的大电容C2，你可以认为...
旁路电容和去耦电容基础知识
xp562870732的博客
08-15 3995
“旁路电容”和“去耦电容” 今天在看CAN总线资料时突然看到can原理图TJA1050 CAN收发器电源管脚外接电源时节了一个电容到地，突然想起昨天同事说布线时电源要先连接电容再接到芯片电源管脚那时不知所云，但是今天又遇到所以便开始了我的“瞎琢磨”.... 这个电容到底有什么用呢？ 为什么用的是0.1uf 大小的电容，这个值有没有要求？ 一查百度，发现他叫“旁路电容”，如果放在另外的位置它叫“去耦电容”，神奇呀！ 下面我们来说是“旁路电容”和“去耦电容”：（有点抄百度的节奏）
去耦和旁路电路特性
01-20
在特定温度下，电容值大量改变可能导致运行性能的降低，或作为旁路和去耦电容作用时，失去部分运行性能c介质材料的温度特性越稳定，电容器的工作特性就越好。 　除了介质材料的温度敏感性外，在所考虑的运行频率下...
去耦和旁路电路属性—谐振
01-20
当选择旁路和去耦电容时，会牵涉到计算电容器的充、放电自谐振频率，这可通过逻辑系列结合所使用的时钟速度计算。电容器的电容值选择还是必须根据该电容器在电路中的容抗。低于谐振频率以下，电容器表现为容性，高于...
PCB技术中的去耦和旁路电路属性—谐振
11-16
在PCB设计中，去耦和旁路电路是至关重要的组成部分，它们有助于滤除电源噪声，确保电子设备的稳定运行。这些电路的核心是电容器，尤其是陶瓷电容器，因为它们具有高速充放电能力和良好的高频特性。电容器的自谐振...
旁路电容与去耦电容，傻傻分不清
嵌入式基地
07-11 503
首先了解以下几个概念： 耦合，有联系的意思。 耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。 去耦合元件，指消除信号联系的元件。 去耦合电容简称去耦电容。 从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是***耦合***。 晶体管放大器
去耦电容和旁路电容的区别
08-04
去耦电容和旁路电容的区别。
FPGA Virtex-6 VCCINT VCCO VCCAUX旁路电容选择
12-25
FPGA Virtex-6 VCCINT VCCO VCCAUX旁路电容选择；每一个VCCO VCCINT选择几个电容，什么样的电容都给出了明确的个数和类型。
旁路电容与去耦电容的区别
凡亿郑振宇的博客
05-21 1345
可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容”。 对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除。 去耦电容是电路中装设在元件的电源端的电容，此电容可以提供较稳定的电源，同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声，间接可以减少其他元件受此元件噪声的影响。 去耦和旁路都可以看作滤波。去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来...
电容的用法：去耦、旁路、滤波等
一个热爱分享知识的博主
04-26 2216
旁路电容，去耦电容，滤波电容等，无论如何称呼，它的原理都是一样的，即利用对交流信号呈现低阻抗的特性，这一点可以通过电容的等效阻抗公式看出来：Xc=1/2лfC，工作频率越高，电容值越大则电容的阻抗越小。在电路中，如果电容起的主要作用是给交流信号提供低阻抗的通路，就称为旁路电容；如果主要是为了增加电源和地的交流耦合，减少交流信号对电源的影响，就可以称为去耦电容；去耦电容就是起到一个电池的作用，满...
透彻解析旁路、去耦的联系与区别，资深工程师也未必知道！
Q_xr
03-11 1159
摆在你面前的就是这么一个看似简单的问题： 旁路（电容）与去耦（电容）有什么联系与区别？ 不客气地说，大多数读者都无法明确说出准确的答案，连很多所谓的资深工程师也不能幸免。 于是乎，好像早就约定好的一样，一窝蜂地打开浏览器到网上搜索相关资料，试图找出问题的答案，然而不幸的是，网上所谓的经验未必是正确的，而且，也不知道这些所谓的经验最开始是谁写，反正网上大把大把地转载，一点新意都没有...
【硬件电路知识】深度剖析去耦、旁路、滤波电容
delete_you的博客
08-18 4853
简要介绍部分电容及其应用的方式
旁路电容和去藕电容基础知识汇总
小猪配齐电子设计
08-20 2689
配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，好的高频去耦电容可以去除高到1GHz的高频成分。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。在电源进入印制板的地方和一个1μF或10μF的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的系统也需要这种电容。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
旁路电容和去耦电容
weixin_30807677的博客
12-05 261
一.定义和区别 旁路（bypass）电容：是把输入信号中的高频成分作为滤除对象； 去耦（decoupling）电容：也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。 去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。 高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大 二.作用 去耦电容...
旁路电容和去耦电容的区别
最新发布
06-24
<think>我们被要求解释旁路电容（BypassCapacitor）和去耦电容（DecouplingCapacitor）的区别。尽管在实际使用中这两个术语有时被混用，但在电子工程中它们有细微但重要的区别。我们将结合引用内容和工程实践进行说明。###核心功能差异|**特性**|**旁路电容(Bypass)**|**去耦电容(Decoupling)**||-----------------|-----------------------------------------------|-----------------------------------------------||**主要目的**|为**高频噪声**提供低阻抗接地路径，防止噪声进入敏感电路|为**本地IC**提供瞬态电流，防止开关噪声传播到电源网络||**作用机制**|将噪声**旁路**到地（分流）|**隔离**IC与电源网络的相互干扰（去耦合）||**典型位置**|模拟器件电源引脚、射频电路、时钟电路|数字IC电源引脚附近（<3mm）||**关键公式**|阻抗公式：$Z=\sqrt{ESR^2+(X_L-X_C)^2}$|目标阻抗：$Z_{\text{target}}=\frac{\DeltaV}{\DeltaI}$|###应用场景对比####**1.旁路电容**-**核心任务**：消除**外部传入的高频干扰**（如RF噪声、开关噪声）-例如：在运算放大器电源脚旁路50MHz射频干扰[^3]-**电容选型**：-**小容量陶瓷电容**（0.1μF~10nF）针对MHz~GHz频段-低ESL（等效串联电感）封装（如0402、0201）-**布局要求**：-直接连接电源引脚和地平面（最短路径）-避免使用过孔（增加电感）####**2.去耦电容**-**核心任务**：补偿**芯片开关瞬态**导致的电压跌落-例如：CPU核心电流突变时维持供电电压稳定[^2]-**电容选型**：-**多电容组合**（如10μF钽电容+0.1μF陶瓷电容+1nF高频电容）-覆盖频段：kHz~GHz（通过并联谐振点）-**布局要求**：-电容→IC电源引脚距离≤3mm-优先连接电源/地平面（降低回路电感）>**工程案例**：某ADC电路未加旁路电容时，电源线引入的100MHz噪声使SNR下降15dB；添加10nF0402电容后噪声消除[^3]。###物理本质差异|**维度**|旁路电容|去耦电容||----------------|-----------------------------------|-----------------------------------||**噪声来源**|**外部**环境噪声/耦合噪声|**内部**芯片开关瞬态||**电流路径**|噪声→电容→地（非电源回路）|芯片→电容→芯片（局部电流环）||**失效表现**|系统抗干扰能力下降|芯片复位/时序错误|###联合设计策略```mermaidgraphLRA[电源输入]-->|低频滤波|B(100μF电解电容)B-->|中频去耦|C(1μF陶瓷电容)C-->|高频去耦|D(0.1μF陶瓷电容)D-->|旁路|E(10nF电容)E-->F[IC电源引脚]```-**频段分工**：->100MHz：旁路电容主导（$Z\approx\frac{1}{2\pifC}$）-1~100MHz：去耦电容主导-<1MHz：大容量滤波电容作用###常见误区-**误区**：认为旁路和去耦可互换-**后果**：高频旁路电容远离IC引脚时，因引线电感导致谐振频率偏移（例：10nF电容引线增加5nH电感，谐振点从100MHz降至70MHz）[^4]-**正确实践**：-旁路电容：直接接在敏感器件电源脚与地之间-去耦电容：分布在数字IC周围形成电容阵列---§§相关问题§§1.如何测量旁路电容在高频下的实际阻抗？2.去耦电容数量的经验计算公式是什么？3.为什么高速PCB中旁路电容需要优先选择X7R材质？4.如何计算芯片开关瞬态所需的去耦电容总量？5.在射频电路中，旁路电容的接地过孔设计有何特殊要求？</think>### 旁路电容（Bypass Capacitor）与去耦电容（Decoupling Capacitor）的区别 #### **1. 核心功能差异** | **特性** | **旁路电容** | **去耦电容** | |----------------|------------------------------------------|------------------------------------------| | **主要目的** | 为**高频噪声**提供低阻抗接地路径 | 为**本地IC**提供瞬态电流，维持电压稳定 | | **作用对象** | 滤除**外部传入的干扰**（如RF噪声、耦合噪声） | 抑制**芯片自身开关噪声**（如逻辑门切换） | | **关键机制** | 将噪声**分流到地**（$Z = \frac{1}{2\pi f C}$） | 形成**局部能量池**（$\Delta V = \frac{I \cdot \Delta t}{C}$） | | **典型位置** | 敏感电路电源入口（如运放、射频模块）[^3] | IC电源引脚旁（<3mm）[^2] | #### **2. 应用场景与选型** - **旁路电容** - **场景**： - 模拟电路（消除电源耦合的高频噪声） - 射频前端（防止天线干扰传入电源） - 时钟电路（滤除谐波） - **选型**： - **小容量陶瓷电容**（0.1μF~10nF），针对**MHz-GHz高频段** - 低ESL封装（如0402）减小寄生电感 - **去耦电容** - **场景**： - 数字IC（CPU/FPGA电源引脚） - 高速总线（DDR/USB接口） - 电源模块输出端 - **选型**： - **多电容并联**（如10μF电解电容+0.1μF陶瓷电容）覆盖**全频段**[^4] - 目标阻抗公式：$Z_{\text{target}} < \frac{\Delta V_{\text{max}}}{\Delta I_{\text{peak}}}$ > **工程对比**： > - 旁路电容：在ADC电源脚添加10nF电容，使高频噪声降低20dB[^3] > - 去耦电容：为DDR4内存配置22μF+0.1μF电容组，电压纹波从120mV降至30mV[^2] #### **3. 物理本质差异** | **维度** | 旁路电容 | 去耦电容 | |----------------|----------------------------------|----------------------------------| | **电流路径** | 噪声→电容→地（非电源回路） | 芯片→电容→芯片（局部电流环） | | **频率响应** | 窄带（针对特定干扰频率） | 宽带（覆盖芯片开关频谱） | | **失效后果** | 系统信噪比下降（如ADC精度劣化） | 芯片逻辑错误（电压跌落触发复位） | #### **4. 布局与联合设计** - **旁路电容布局关键**： - 直接跨接在敏感器件电源脚与地之间 - **避免过孔**（引线电感$L_{\text{via}}$会升高高频阻抗） $$ Z_{\text{eff}} = \sqrt{ESR^2 + \left(2\pi f L_{\text{via}} - \frac{1}{2\pi f C}\right)^2} $$ - **去耦电容布局关键**： - 电容→IC引脚距离≤λ/10（λ为噪声波长） - 优先连接电源/地平面（减小回路电感） - **协同工作示例**： ```mermaid graph LR A[电源输入] -->|低频滤波| B(100μF电解电容) B -->|去耦中频| C(1μF陶瓷电容) C -->|去耦高频| D(0.1μF陶瓷电容) D -->|旁路| E(10nF电容) E --> F[IC电源引脚] ``` #### **5. 常见误区** - **错误**：将0.1μF电容同时用于旁路和去耦 **问题**：旁路需极低阻抗路径，若布局远离敏感点，引线电感导致高频失效。 - **正确实践**： - 旁路电容：10nF电容**紧贴**运放电源脚 - 去耦电容：0.1μF+10μF电容组**环绕**MCU电源引脚 > **实测数据**：相同10nF电容用于旁路时，距离2mm可使100MHz阻抗从$0.2\Omega$升至$5\Omega$[^4]。 --- ### **总结对比表** | **参数** | 旁路电容 | 去耦电容 | |------------------|-----------------------------|-----------------------------| | 核心功能 | 噪声分流到地 | 能量本地化供给 | | 电容典型值 | 0.1μF~10nF | 10μF+0.1μF+nF级组合 | | 关键频段 | 特定高频点（如100MHz） | 全频段（DC~GHz） | | 布局优先级 | 最短接地路径 | 最小电流回路面积 | ---
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