5、超薄晶圆制造与处理技术解析

超薄晶圆制造与处理技术解析

在当今的电子设备领域，SiP（系统级封装）、IC 卡和 RFID（射频识别）标签等在手机等数字和移动设备中得到了更为广泛的应用。同时，为了实现能源节约和全球环境保护，用于功率转换的功率器件，如太阳能发电和混合动力汽车中使用的 IGBT（绝缘栅双极晶体管），对硅晶圆进行减薄以提高性能的需求也日益强烈。本文将深入探讨超薄晶圆的制造与处理技术。

1. 超薄晶圆切割减薄技术

在超薄晶圆的制造过程中，切割减薄技术是关键环节。以下将详细介绍相关的工艺和技术。

1.1 临时键合与转移工艺

临时键合使用可释放胶带的组合，能够实现将薄芯片转移到拾取胶带上进行最终芯片组装的简单操作序列。其基本流程如下：
- 首先，在分离后的薄芯片背面安装一个薄膜框架支架。
- 然后，施加一些热量来释放热胶带。
- 最后，将 BG 胶带分层剥离。

然而，某些类型的拾取胶带在施加约 100°C 的温度时可能会变质。因此，引入了一个中间处理步骤：将载片晶圆放在热板上，热胶带释放其粘性，导致带有减薄芯片的 BG 胶带与带有双面胶带的载片晶圆分离。所有分离的薄芯片仍然粘在 BG 胶带上，并可以安装到拾取胶带上。这种芯片在胶带上的排列方式（柔性胶带上的分离芯片）的处理和转移可以手动或自动完成，而不会引入芯片破裂的风险。

下面是该工艺的流程图：

graph LR
    A[安装薄膜框架支架] --> B[施加热量释放热胶带]
    B --> C[分层剥离 BG 胶带]
    D[载片晶圆放于热板] --&g