在IGBT的开启过程中，IGBT的电压降低，电流上升，在IGBT的关断过程中IGBT的电压上升，电流下降，在一段时间内，电压和电流均不为0，由于功率等于电压乘以电流，即P=U×I，因此将产生损耗，开

最新推荐文章于 2025-06-12 21:54:38 发布
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分类专栏： TLP 文章标签： IGBT 开关 光耦
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本文详细解释了IGBT在开启和关断过程中的工作原理，包括电压和电流的变化情况，并阐述了由此产生的开关损耗概念。

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 在IGBT的开启过程中，IGBT的电压降低，电流上升，在IGBT的关断过程中IGBT的电压上升，电流下降，在一段时间内，电压和电流均不为0，由于功率等于电压乘以电流，即P=U×I，因此将产生损耗，开启损耗和关断损耗统称为开关损耗。

IGBT的开通过程详解
chinesenavy666的博客
01-19 5395
后续还会发关断过程。
IGBT的软关断
honeyball的博客
02-10 953
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的软关断（Soft Turn-off）是一种控制方法，用于使IGBT的关闭过程更加平滑，从而减少开关过程中的电压和电流冲击，降低开关损耗，提高系统的效率和可靠性。
IGBT参数说明
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一个人要像一支队伍
08-13 2万+
一、开通延时。 t1时刻Vge上升到10%，t2时刻Ic上升到10%，开通延时td(on)=t2-t1。 二、关断延时。 t1时刻Vge下降到90%，t2时刻Ic下降到90%，判断延时td(off)=t2-t1。 三、上升时间。 t1时刻Ic上升到10%，t2时刻Ic上升到90%（不算过冲部分），上升时间tr=t2-t1。 四、下降时间。 t1时刻Ic下降到90%，t2时刻Ic下降到10%，下降时间tr=t2-t1。 五、Vce饱和电压。 六、Vces。 七、..
IGBT开通时间、关断时间、死区时间
最新发布
行秋的博客
06-12 1306
摘要：IGBT开关时间分为开通和关断两类。开通时间包括开通延时(td(on))和上升时间(tr)，定义为栅极电压达到10%到集电极电流升至90%的时间总和。关断时间包含关断延时(td(off))和下降时间(tf)，即栅极电压降至90%到集电极电流降到10%的过程。此外还涉及拖尾时间(tz)和死区时间设置，后者需平衡直通风险与波形质量，计算公式考虑延迟时间及1.2倍安全裕量。死区时间过短会导致桥臂直通，过长则引起波形畸变。（150字）
IGBT开通过程分析
01-20
IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的开通过程。 　　01 　　前言 　　一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程，我觉得有必要了解一下。随着载流子寿命控制等技术的应用， IGBT关断损耗得到了明显改善; 此外，大功率IGBT 器件内部续流二极管的反向恢复过程，极大地增加了IGBT
IGBT模块开通关断动态过程及其温度特性的研究
02-02
IGBT模块开通关断动态过程及其温度特性的研究，姚芳，刘向向，针对不同状况下IGBT模块的开通及关断过程中的动态电压及对应的电流波形进行采样分析，通过Matlab软件对动态电压及电流数据进行处理�
IGBT的开通分6个阶段
honeyball的博客
04-10 276
【微课堂系列IGBT的开关特性第1讲IGBT的开通过程和开通特性】https://www.bilibili.com/video/BV17w411Q7F3?
论文大容量变流器中IGBT关断过电压抑制技术研究-田安民
11-17
IGBT在电力转换过程中，尤其是关断阶段，易受到主回路杂散电感和反并联二极管浪涌电压的影响，导致关断过电压的问题。田安民及其同事针对应用于300MW级变速抽蓄机组的大容量变流器，进行了IGBT关断过电压抑制技术的...
电源技术中的ST推出可有效降低关断能耗的IGBT STGxL6NC60D系列
11-22
意法半导体日前推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH?)，用于工作频率超过20kHz的...
优化缓冲电容：IGBT变流器的关断电压与电流振荡研究
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IGBT工作原理,解析IGBT工作原理及作用
huge0014的博客
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一、IGBT是什么 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综...
栅极驱动参数对IGBT开通的影响
yw0209的博客
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前段时间一致在忙于工作的事，本来说打算总结《高速电路设计》，但最近接触的工作都是关于电机控制器的驱动电路，因此打算先把这其中的一些知识点做一个总结。IGBT驱动电路目前常用于新能源汽车三电当中的电控系统，该电路主要用于驱动三相全桥IGBT模块，而该模块主要用于驱动新能源汽车的三相电机。退饱和故障也叫短路故障，主要发生在桥臂直通或者母线电压Udc加在了IGBT的无负载回路当中，区别于过流故障，差异会在第二部分进行描述。
IGBT损耗计算及散热设计方法
小幽余生不加糖
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一般情况下，虽然如前面所述，从平均产生的损耗考虑导通的 Tj已经足够，但实际上每次反复开关产生的损耗是脉冲状态的，因此形成了如图 6-10(a)所示的温度脉动。这种情况下，将产生的损耗看作一定周期与一定的峰值形成的连续矩形脉冲波，使用规格书中记录的如图 6-9 所示的瞬态热阻曲线，能够近似计算出温度脉动的峰值(Tjp)。对于损耗比较大的 IGBT 模块，需要比较大的散热面积。选定散热器，决定了 IGBT 模块的安装位置后，请测量各部分的温度，确认 IGBT 模块的结温(Tj)不超出额定值或设计值。
IGBT基础与运用
Unique_Eric的博客
02-06 4098
IGBT基础与运用 　　IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。 　　理想等效电路与实际等效电路如图所示：
IGBT驱动及保护电路（之一）
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IGBT驱动及动态特性、静态特性概述
IGBT的关断过程详解（续）
chinesenavy666的博客
09-07 2448
随着耗尽层的Cgc的逐渐减小，栅极开始通过Cge放电，此时Vge开始下降，直至栅极电压阈值。，由于Cgc很大，这段时间栅极电流Ig几乎都是从电容Cgc流过的电流Igc，也就是通过Cgc泄放储存的电荷，此时耗尽层未展开，所以耐压未增加。这个阶段开始时耗尽层开始展开，IGBT开始承担电压VDC，电压VCE开始上升。由于电压上升的过程是Cgc放电的过程，因此有。随着电流下降速度的降低，产生拖尾电流VL逐渐降低，IGBT承受的电压恢复到Vdc，栅极电压Vge降为0，关断过程结束。第三阶段结束的时候，
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