MOSFET 选型

参数：

1. 封装，

LFPAK,  （LFPAK33，ID=70A左右）

2. 尺寸

3. 耐压值，BVDSS  40V以上

4. VTH,  阈值电压，  Vplateau 米勒平台电压

5. ID，负载电流

6. Rdson  内阻，RDSON和导通损耗直接相关。RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小；效率越高、温升越低。

7. 开关特性，Crss(米勒电容)，Coss，Ciss；Qg, Qgd, Qoss

 Qg越大，IC驱动损耗越大

参考：

封装 / 箱体:	SO-8FL
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	330 A
Rds On-漏源导通电阻:	650 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	143 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	167 W
资格:	AEC-Q101
商标:	onsemi
下降时间:	177 ns
上升时间:	130 ns
典型关闭延迟时间:	66 ns
典型接通延迟时间:	20 ns

常用品牌 英飞凌， Onsemi，

国产品牌 JJM