有机薄膜晶体管:聚合物材料的研究进展
1. OFET 结构配置
OFET(有机场效应晶体管)存在不同的结构配置,如图 3 所示,图 3a 和 c 为交错配置(staggered configuration),图 1b 为共面配置(coplanar configuration)。在交错结构的器件中,导电通道通过半导体层与源极和漏极电极分隔开;而在共面结构的器件中,源极和漏极的边缘直接与通道接触,这使得在底接触/底栅(BC/BG)结构中能够实现电荷直接注入到导电通道中。半导体/电介质界面以及半导体与源 - 漏电极之间的界面(接触电阻)等多个参数会影响 OFET 的性能。
| 结构类型 | 导电通道与电极关系 | 电荷注入方式 |
|---|---|---|
| 交错配置 | 通过半导体层分隔 | 间接注入 |
| 共面配置 | 边缘直接接触 | 直接注入 |
2. p 型聚合物半导体
在聚合物 OFET 中,p 型半导体聚合物发展较为成熟,以下是一些常见的 p 型聚合物半导体:
- 聚噻吩(Poly(thiophene)) :是最早用于场效应晶体管的聚合物,其噻吩单元的长链结构以及单双键交替结构有效扩展了材料的共轭性,为电荷传输提供了通道。人们对聚噻吩进行了大量
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