szrileyH的博客

说明ESD5401N是TVS（瞬态电压抑制器） 旨在保护敏感的电子元件连接到数据和传输线 ESD（静电放电），EFT引起的过应力（电快速瞬变）和闪电。ESD5401N可用于提供高达ESD的ESD保护根据IEC61000-4-2，±30kV（接触放电），和可承受高达8A（8 /20μs）的峰值脉冲电流IEC61000-4-5。ESD5401N采用DFN1006-2L封装。标准产品不含...

说明WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤。品牌：韦尔型号；WNM2020-3/TR封装：SOD923包装：3000年份：18+特征 FAE:13723714318海沟技术Supper高密度电池设计出色的导通电阻极...

描述WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤特征FAE：13723714318海沟技术Supper高密度电池设计出色的导通电阻极低的阈值电压小型封装SOT-323应用DC-DC转换器电路负载开关等级转换小信号开关...

描述WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤品牌：韦尔型号；WNM2030-3/TR封装：SOT723包装：80000年份：18+特征海沟技术Supper高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流电极低的阈值电压...

WNM4002是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合用于小信号开关。标准产品WNM4002是无铅特征沟槽N通道 FAE:13723714318超高密度电池设计，适用于极低Rds（on）出色的导通电阻和最大直流电流能力采用SOT-523的小型封装设计品牌：WILLSEM型号；WNM4002-3/TR封装：SOT...

单P沟道，-20V，-2.4A，功率MOSFET描述WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。品牌：WILLSEM型号；WPM2015封装：SOT23包装：3000年份：18+数量：50000特征FAE：1372371431...