WNM2020-3/TR MOS场效应晶体管

最新推荐文章于 2024-11-09 21:49:30 发布
最新推荐文章于 2024-11-09 21:49:30 发布
阅读量1.3k 收藏
点赞数
CC 4.0 BY-SA版权
分类专栏： 韦尔 文章标签： MOS场效应晶体管
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/szrileyH/article/details/88862282
WNM2020是一款N通道增强型MOS场效应晶体管，采用先进沟槽技术，具备低RDS（ON）及低栅极电荷特性，适用于DC-DC转换等应用。其采用SOD923封装，符合无铅无卤标准。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

说明

WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤。
在这里插入图片描述品牌：韦尔
型号；WNM2020-3/TR
封装：SOD923
包装：3000
年份：18+
在这里插入图片描述特征 FAE:13723714318
海沟技术
Supper高密度电池设计
出色的导通电阻
极低的阈值电压
小型封装SOT-23
在这里插入图片描述

电子电路原理第十一章(MOS场效应晶体管)
电子硬件笔记
04-22 1964
■解释增强型和耗尽型MOS管的特性和工作原理； ■画出增强型和耗尽型MOS管的特性曲线图； ■描述增强型MOS管用作数字开关的工作原理； ■画出典型CMOS数字开关电路图，并解释其工作原理； ■比较功率场效应管和功率双极型晶体管的特性； ■描述几种功率场效应管的名称及其应用； ■描述高侧负载开关的工作原理； ■解释分立和单片H桥电路的工作原理； ■分析增强型和耗尽型MOS管放大器电路的直流和交流特性。
MOS管与场效应晶体管背后的联系，看完后就全明白了
weixin_43747182的博客
04-15 1982
电子元器件行业有今天的成就，那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助，但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈，到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系？这对于初学者来说，这两个名字常常容易让初学者混淆，那究竟MOS管到底是不是场效应晶体管？ 其实根据这几种电子元器件的包含关系，说MOS管是场效应晶体管是没问题的，但是反过来说就不对了，也就是说场效应晶体管不单单只包括M...
MOS晶体管的讲解非常详细
12-02
详细讲解MOS管的用途以及识别各种MOS管。对MOS管更深刻的解析
MOS 管 场效应管
优快云博客
08-11 1435
一、什么是MOS管？ MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 二、MOS管的构造。 MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导.
1.7场效应管 MOS Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
qq_28664971的博客
02-12 103
1.7场效应管 MOS Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor前言一、MOS是什么？二、使用步骤1.引入库2.读入数据总结 前言 提示：这里可以添加本文要记录的大概内容： 例如：随着人工智能的不断发展，机器学习这门技术也越来越重要，很多人都开启了学习机器学习，本文就介绍了机器学习的基础内容。 提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考 一、MOS是什么？ 示例：pandas 是基于NumPy 的一种工具，该工具是为了解决数据分析任务而创建
WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR
szriley123的博客
03-27 970
WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR 小信号N沟道，50V，0.25A，MOSFET 说明 WNM3013是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用 在小信号开关。标准产品WNM3013 不含铅，不含卤素。 绝对最大额定值 WILLSEM FAE:13723714328 热阻额定值 a表面安装在FR...
WNM2077-3/TR单N沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 894
说明 WNM2077 单N沟道，20V，0.54A，功率MOSFET WNM2077是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） SOT-723低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2077是无铅的。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723...
WNM2020-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-02
### WNM2020-3-TR-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管技术解析 #### 概述 WNM2020-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电源管理应用。其主要特性包括无卤素设计、符合...
WNM2024-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
WNM2024-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电源管理应用场合，如DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关等。该产品具有低导通电阻、高可靠性和紧凑的封装尺寸等特点。 ##...
WNM2302-3-TR-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
WNM2302-3-TR-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻、高可靠性和环保特性等优点，并适用于多种应用场合，如DC/DC转换器、便携式设备负载开关等。 #### 特性 1...
硬件基础知识补全计划【七】MOS 晶体管
最新发布
nullccc的博客
11-09 1857
MOS 是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
详细了解 MOSFET 晶体管
zhbi98 的技术 Blogs
12-03 2694
(1) 耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型 MOS 管在栅极 G 不加电压时有导电沟道存在，而增强型 MOS 管只有在开启后，才会出现导电沟道。(2) 两者的控制方式也不一样，耗尽型 MOS 管的栅源电压 VGS 可以用正，零，负电压控制导通，而增强型 MOS 管则固定需要 VGS>VGS(th) 才能导通。(3) MOS 管改变栅源电压 VGS，实际是改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
WNM2024-3/TR功率MOSFET场效应晶体管
szriley123的博客
03-28 876
描述 单N沟道，20V，3.9A，功率MOSFET WNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，L...
超级简单的理解MOS晶体管的工作原理
weixin_50652702的博客
01-20 1176
新手入门必看，教你简单迅速理解MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理。
WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-26 1093
说明 WNM2020 N沟道，20V，0.90A，小信号MOSFET WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻 极低的阈值电压 小包装SOT-23 ...
MOS管的工作原理和区分
daizhifeng123468的博客
04-07 6458
MOS管的工作原理及MOS管三个管脚的区分，和三极管的应用区别
WNM2020-3/TR-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-28 134
通过控制8Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，从而实现电流的控制和开关状态的转换。由于其适中的额定电压和额定电流特性，WNM2020-3/TR 特别适合中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。WNM2020-3/TR详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 20V- 额定电流 6A- 导通电阻 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V- 门源电压 8Vgs (±V)- 阈值电压 0.45~1Vth (V)- 封装类型 SOT23。
MOS管的导通特性
热门推荐
gtkknd的专栏
05-20 4万+
td（on）（turn on delay time）：是Vgs从0到达Vgs（th）所用的时间。这段时间是给输入电容Cgs+Cgd充电，使 Vgs到达Vgs（th）。tr（rise time）：是Vds从Vdd开始下降到MOS完全导通 时的Vds（on）所用的时间。此阶段中，Vds下降时的 Vgs和Id保持恒定。由于存在大电流和大电压，所以会产 生很大的功耗。所以应该通过减小gate端的串
WNM2021-3/TR N通道增强型MOS场效应晶体管
szrileyH的博客
03-28 2818
描述 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤 特征FAE：13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻 极低的阈值电压 小型封装SOT-323 应用 DC-DC转换器电路 负载开关 等级转换 小信号开关...
WNM2020-3/TR-VB MOSFET技术规格与应用指南
"WNM2020-3/TR-VB-MOSFET是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，适用于20V工作电压，具有低RDS(ON)特性，分别在4.5V、2.5V和1.8V的门极电压下，其RDS(ON)分别为24mΩ、33mΩ和40mΩ，最大连续漏电流ID分别为6A、5.1A和...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值