ESD5304D-10/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD5304D 单向 4线 超低电容

ESD5304D 4线，单向，超低电容
瞬态电压抑制器

说明

WILLSEM FAE:13723714318
ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电容器）电压抑制器）阵列设计用于保护高速
数据接口。它专门设计用于保护与数据相关的敏感电子元件和传输线由ESD引起的过应力引起（静电放电）。
ESD5304D采用四对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。ESD5304D可用于提供高达ESD保护
根据IEC61000-4-2，±20kV（接触放电），和根据能够承受高达4A（8 /20μs）的峰值脉冲电流
IEC61000-4-5。ESD5304D采用DFN2510-10L封装。标准产品不含铅，不含卤素。

特征

隔离电压：最大5V
根据每条线路的瞬态保护
IEC61000-4-2（ESD）：±20kV（接触放电）
IEC61000-4-4（EFT）：40A（5 / 50ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8 /20μs）
超低电容：CJ = 0.4pF（典型值）。
超低漏电流：IR <1nA（典型值）。
低钳位电压：VCL = 14V（典型值）。 @ IPP = 16A（TLP）
固态硅技术

应用

USB 2.0和USB 3.0
HDMI 1.3，HDMI 1.4和HDMI 2.0
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子产品和笔记本

参数符号评级单位

峰值脉冲功率（tp = 8 /20μs）Ppk 48 W.
峰值脉冲电流（tp = 8 /20μs）IPP 4 A.
ESD符合IEC61000-4-2空气放电
VESD
±20
千伏
ESD符合IEC61000-4-2接触放电±20
结温TJ 125 oC
工作温度TOP -40~85 oC
引线温度TL 260 oC
储存温度TSTG -55~150 oC

电气特性

（TA = 25 oC，除非另有说明）
笔记：
1）TLP参数：Z0 =50Ω，tp = 100ns，tr = 2ns，平均窗口从60ns到80ns。 RDYN的计算方法是从4A到16A。
2）根据IEC61000-4-2接触放电模式。
3）根据IEC61000-4-5的非重复电流脉冲。
参数符号条件最小值典型。最大。单元
反向最大工作电压VRWM 5.0 V.
反向漏电流IR VRWM = 5V <1 100 nA
反向击穿电压VBR IT = 1mA 7.0 8.0 9.0 V.
正向电压VF IT = 10mA 0.6 0.9 1.2 V.
钳位电压1）VCL IPP = 16A，tp = 100ns 14 V.
钳位电压2）VCL VESD = + 8kV 14 V.
动态电阻1）RDYN0.33Ω
钳位电压3）VCL
IPP = 1A，tp = 8 /20μs10V
IPP = 4A，tp = 8 /20μs12V
结电容CJ VR = 0V，f = 1MHz
任何I / O引脚连接到GND
0.40 0.65 pF
VR = 0V，f = 1MHz
在任何I / O引脚之间
0.25 0.40 pF