TVS/ESD二极管的选型(整理中......)

TVS管,即瞬态电压抑制二极管,用于电源及数据端口的异常电压保护。本文介绍其分布特性等效电路,包括引线电感L、压控可变等效电阻RV、分布电容C及绝缘电阻R等关键参数。

TVS管,全称为瞬态电压抑制二极管(Transient voltage suppression diode),主要用在电源端口和数据端口的异常尖峰电压保护.分布特性的等效电路如图所示:
在这里插入图片描述
参数描述:

  • L:引线电感。
  • RV:压控可变等效电阻,当TVS两端的电压超过截止电压Vrwm之后,随着电压的增大,TVS上的通过电流会逐渐加大,等效表现为RV逐渐变小,当电压增大到击穿电压Vbr后,TVS进入雪崩工作状态,电流快速增大,等效表现为RV快速变小。
  • C:分布电容,分布电容是一个寄生参数,是元器件的构造特性决定的,它影响了信号线上波形的质量,进而限制了数据传播速率。
  • R:绝缘电阻,电压很低的时候,虽然TVS还未启动其保护机制,但TVS上面还是会有微小的漏电流,此时的电压/漏电流即为绝缘阻抗的大小。

参考

<think>好的,我现在需要帮助用户解答关于TVS二极管ESD保护的原理及应用方案的问题。首先,我需要回顾用户提供的引用资料,确保正确理解两者的区别和联系。根据引用1,TVSESD的原理相同,但功率和封装不同,ESD主要用于防静电,要求低电容,而TVS电容较高。引用2解释了TVS的工作原理,分为单向和双向,应用在直流和交流电路中。引用3提到在手机设计中,TVS的选择要考虑信号传输速度,低电容很重要。引用4对比了两者的保护性能和应用场合,TVS用于初级和次级保护,ESD用于板级保护。引用5详细列出了TVS的参数和应用场景。 接下来,我需要组织回答的结构。用户想了解原理和应用方案,所以应该分点阐述。首先明确两者的定义和工作原理,然后比较区别,再讨论选型要点,最后给出应用方案。要注意使用中文,行内公式用$...$,独立公式用$$...$$,并正确引用资料。 需要确保技术术语准确,比如击穿电压VBR、钳位电压VC、峰值脉冲电流IPP等,这些参数在引用5中有详细说明。同时,要强调ESD的低电容特性(1-3.5pF)和TVS的高浪涌处理能力,如引用1和4的内容。应用方案部分,引用3提到手机中的不同保护方案,可以举例高速接口和电源保护的不同选择。 还要生成相关问题,可能涉及参数选择、电路设计注意事项、测试标准等,确保问题与用户需求相关,帮助深入理解。最后检查引用标识是否正确添加,确保每个引用对应正确的来源。</think>### TVS二极管ESD保护原理及应用方案 #### **一、核心原理对比** 1. **TVS二极管(瞬态电压抑制器)** - 通过**雪崩击穿效应**实现瞬态电压钳位。当电压超过击穿电压$V_{BR}$时,TVS迅速导通并将能量泄放至地,响应时间<1ns[^2]。 - 典型参数: $$V_C = V_{BR} + (I_{PP} \times R_{dyn})$$ 其中$V_C$为钳位电压,$I_{PP}$为峰值脉冲电流,$R_{dyn}$为动态电阻[^5]。 2. **ESD保护二极管** - 专为**静电放电(ESD)**设计,采用低电容结构(通常1~3.5pF),避免高速信号衰减。通过PN结快速导通(响应时间<0.5ns)释放静电能量[^1][^4]。 #### **二、关键区别与选型要点** | **特性** | **TVS二极管** | **ESD保护二极管** | |----------------|----------------------------|---------------------------| | **核心目标** | 抑制浪涌(如雷击、电源波动) | 防护静电放电(人体/设备ESD) | | **电容值** | 高(数十pF~nF级) | 低(1~3.5pF) | | **功率能力** | 高(支持$I_{PP}$达数百安培) | 低(仅应对瞬时静电电流) | | **应用层级** | 初级/次级保护(电源端口) | 板级保护(信号接口) | | **寿命影响** | 可重复使用(无物理损伤) | 长期稳定(半导体结构) [^4][^5] #### **三、应用方案设计** 1. **高速接口保护(USB/HDMI)** - **选型要求**:电容<1pF,响应时间<0.3ns - **方案**:ESD二极管(如PESD5V0S1)并联在信号线与地之间,确保信号完整性[^3]。 2. **电源端口浪涌防护** - **选型要求**:$V_{BR} \geq 1.2 \times V_{工作}$,$I_{PP}$需高于预期浪涌 - **方案**:TVS(如SMBJ15CA)串联在电源线,配合保险丝实现多级保护[^5]。 3. **混合防护系统** - **示例**: ```plaintext 输入端口 → TVS(泄放大电流) → 滤波电路 → ESD(精细保护) → 芯片 ``` #### **四、选型参数优先级** 1. **电压匹配**:$V_{BR}$需高于电路最大工作电压 2. **电容限制**:高速信号选ESD,低频/电源选TVS 3. **能量耐受**:TVS的$I_{PP}$需覆盖浪涌测试波形(如8/20μs)[^5]
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