<?xml version="1.0" encoding="utf-8" ?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[styyds的博客]]></title><description><![CDATA[]]></description><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds</link><language>zh-cn</language><generator>https://blog.youkuaiyun.com/</generator><copyright><![CDATA[Copyright &copy; styyds]]></copyright><item><title><![CDATA[IIC硬件设计指南]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/146275051</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/146275051</guid><author>styyds</author><pubDate>Sat, 15 Mar 2025 10:45:36 +0800</pubDate><description><![CDATA[以上内容均为博主学习总结，如有侵权请联系我删帖。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[保险丝选型]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/140806865</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/140806865</guid><author>styyds</author><pubDate>Sat, 15 Mar 2025 09:46:23 +0800</pubDate><description><![CDATA[额定电压>工作电压。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[恒流源总结]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/144702796</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/144702796</guid><author>styyds</author><pubDate>Tue, 24 Dec 2024 21:06:40 +0800</pubDate><description><![CDATA[这种效应不是因为三极管离开了放大区，而是由于物理结构上的原因：当增大时，基区的有效宽度确实会变窄，这会导致更多的载流子能够从发射极到达集电极，因此即使在相同的也会稍微增大。1)当外部的VCC固定，温度确定，这导致晶体管被唯一确定，只要晶体管不脱离放大区，那么影响ICQ，也就是IOUT的主要因素就剩下UCE了--改变负载电阻，将引起UCE剧烈变化。注2：二极管的 I-V 特性曲线不是完全垂直的，而是在高电流区域有轻微的倾斜，当 VCC增大导致流过二极管的电流增大时，UDZ也会上升。首先明确一点，在放大区中，]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[ESP32学习过程问题]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/144516087</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/144516087</guid><author>styyds</author><pubDate>Mon, 16 Dec 2024 19:30:19 +0800</pubDate><description><![CDATA[说明：鉴于我在嵌入式项目上经验和学习的不足，经常遇到基础问题。为避免重复出错，我将总结经验，以提高技能水平。

开发板：ESP32-C6-DevKitM-1

开发环境：ESP32-IDF v5.3.1+Vscode

出现的问题：

1.FAILED: HW_LEDCPWM.elf


int main(void)
{
    esp_err_t ret;
    ret = nvs_flash_init(); /* 初始化 NVS */
    if (ret == ESP_ERR_NVS_NO_FRE]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[以太网基础之PHY芯片理解]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/144391976</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/144391976</guid><author>styyds</author><pubDate>Wed, 11 Dec 2024 12:14:17 +0800</pubDate><description><![CDATA[PHY在发送数据的时候，收到MAC过来的数据（对PHY来说，没有帧的概念，对它来说，都是数据而不管什么地址，数据还是CRC），每4bit就增加1bit的检错码，然后把并行数据转化为串行流数据，再按照物理层的编码规则(4B/5B编码)把数据编码，再变为模拟信号把数据送出去。这个随机时间很有讲究的，并不是一个常数，在不同的时刻计算出来的随机时间都是不同的，而且有多重算法来应付出现概率很低的同两台主机之间的第二次冲突。在 1000Mbps 传输速率下，时钟频率为 125Mhz，在时钟的上下沿同时采样数据。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[LDO芯片性能测试步骤]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/140791252</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/140791252</guid><author>styyds</author><pubDate>Tue, 30 Jul 2024 11:09:14 +0800</pubDate><description><![CDATA[标准测试方法：①示波器带宽：20MHZ；原因：地线太长，引入噪声，测量值会偏大。改变负载-->改变电流，观察电压波动。仪器：动态负载机+示波器+接地环。芯片温度计算公式：芯片温度=仪器：示波器+接地环。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[Platformio编译出现未找到＜WiFi.h＞头文件问题；fatal error: WiFi.h: No such file or directory]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/140242871</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/140242871</guid><author>styyds</author><pubDate>Sun, 07 Jul 2024 10:54:55 +0800</pubDate><description><![CDATA[【代码】Platformio编译出现未找到＜WiFi.h＞头文件问题；]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[全差分运算放大器单端输入，阻抗匹配设计]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/139628661</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/styyds/article/details/139628661</guid><author>styyds</author><pubDate>Wed, 12 Jun 2024 16:14:40 +0800</pubDate><description><![CDATA[由此得到下式中（1）（2），再根据运放的虚短,虚断得到（3）（4）(1)(2)(3)(4)结合得到（5）式：由于，则。]]></description><category></category></item></channel></rss>