<?xml version="1.0" encoding="utf-8" ?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[steven_ifv的博客]]></title><description><![CDATA[]]></description><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv</link><language>zh-cn</language><generator>https://blog.youkuaiyun.com/</generator><copyright><![CDATA[Copyright &copy; steven_ifv]]></copyright><item><title><![CDATA[failed to start lsb]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/137557989</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/137557989</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Tue, 09 Apr 2024 16:37:37 +0800</pubDate><description><![CDATA[想修改网络前备份一份网卡配置，就cp了一份ifcfg-eno1.bk在原目录下面，结果重启网络服务就会报错failed to start lsb 查看记录发现ifcfg-eno1.bk与ifcfg-eno1冲突 删掉备份的ifcfg-eno1.bk就可以正常重启网络服务了。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[gm/Id 设计方法笔记]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/136227904</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/136227904</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Thu, 22 Feb 2024 16:03:12 +0800</pubDate><description><![CDATA[gm均由输入对管提供，通过之前推导得到的gm，同时选取gm/Id为10得到了Id大小。引入图表gm/Id*fT随gm/Id变化的趋势，可以看到有一段平台，选取这部分的gm/Id可以最优。gm/Id其实等效于过驱动电压的倒数，过驱动电压选择的越低对应gm/Id越高，同样管子的增益越大。2stage的放大器用相同的步骤，先通过电容和GBW确定gm，在选取gm/Id后得到gm，最后确定尺寸。根据电压电流的噪声公式推导我们希望做放大器的管子的gm要大，做电流源的管子的gm要小。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[cadence lvs error missing connection]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/134801504</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/134801504</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Tue, 05 Dec 2023 10:51:54 +0800</pubDate><description><![CDATA[顶层加decap电容肉眼查没问题 但是报missing connection 找不到decap的vdd vss链接。解决方法是 net tracer算了一晚上发现顶层vddvss短路了 再去查电容链接。发现有组decap电容接反了 可能是moscap要区分正负 改掉后lvs通过。虽然lvs没报短路 但实际是大短路问题。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[记录编译失败问题: Cannot compile ahdlcmi module library]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/134049815</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/134049815</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Thu, 26 Oct 2023 10:16:49 +0800</pubDate><description><![CDATA[重装服务器后virtuoso仿真出现题目所示报错，排查各论坛有说32位库在64位系统上运行的依赖gcc库没有安装，但gcc版本与另一台服务器上的相同。最后查询报错日志，是一头文件引用时未找到路径，解决方法是拷贝另一台服务器的/usr文件夹到本服务器上，或者备份重装前的/usr文件夹到本机。再次提醒重装服务器一定要备份所有系统相关文件。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[重装仿真服务器]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/133658664</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/133658664</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Sat, 07 Oct 2023 23:00:12 +0800</pubDate><description><![CDATA[d删除4 5分区 然后n新建/分区 全部回车默认 最后w推出编辑（fdisk会在下次重启后分配生效 因为45两个分区合并后根分区的起始位置没变 所以不影响启动 如果把swap分区也删掉起始区块错误系统就挂掉了）这里我排除了boot,data,dev,etc,proc,run,sbin,sys,tmp 这些目录的作用可以看参考链接。rsync -ac --exclude={‘boot’,'data'} root@需要同步服务器ip:/ /fdisk -l的信息。首先希望把/与/home合并。]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[virtuoso crash]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/124576169</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/124576169</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Wed, 04 May 2022 19:48:54 +0800</pubDate><description><![CDATA[sysconf:-&gt; 'APR Utility libra



adeXL输出变量名不能用特殊符号 改成英文+数字就正常了


]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（10）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120187263</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120187263</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Sat, 25 Sep 2021 11:41:54 +0800</pubDate><description><![CDATA[只要设计好电流的分配 V是自动匹配的
























]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（9）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120096206</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120096206</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Mon, 06 Sep 2021 21:01:58 +0800</pubDate><description><![CDATA[虚短



直流增益对于反馈来说 越大越好









环路增益影响闭环增益





无论增益大小 只要放大器有反馈 放大器处理的都是小信号



闭环增益越大 对放大器的增益要求就越高



分析环路增益第一步是输入接小信号地 然后在环路任意一点切断后增加一个小信号





反馈可以改变端口电阻

闭环降低了增益 增大了带宽（单极点系统 增益和带宽的乘积是一个常数）

时间常数不够 带宽不够大 上升和下降时间太长





















A0→Aopen



...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（8）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120060031</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120060031</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Thu, 02 Sep 2021 19:59:47 +0800</pubDate><description><![CDATA[噪声限制电路输入信号的最小值



















方差即为平均噪声功率



第三项为噪声的相关特性





绝大多数的噪声源是不相关的











电容电感不贡献噪声 电阻和mos管贡献噪声











金属相对于多晶硅是良导体 电阻是后者的1%



闪烁噪声 悬挂键可能会捕获流动的电子





w和gm变化会约掉







irn输入等效噪声 存在的意义是输入信号要大于输入等效噪声

等效到输入端 跨导越大 噪声越小...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（7）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120026677</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120026677</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Tue, 31 Aug 2021 21:52:48 +0800</pubDate><description><![CDATA[频域响应转换函数 对脉冲响应做拉普拉斯变换 可以得到电路对频率变化的响应 关注复数的变化









wp为特征点 在该频率 信号的幅值降为0.707倍 称为截止频率 黑色线与颜色线的比值是幅值 与横轴的夹角为相移



极点频率越大 在相同频率信号处对其幅值和相位影响就越小 sp1称为有决定性作用的极点

对于一阶系统 频率增加10倍 幅值会下降20dB
...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（6）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120003763</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/120003763</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Mon, 30 Aug 2021 21:54:53 +0800</pubDate><description><![CDATA[bias(偏置) 可以理解为为电路核心放大器服务的（保障电路）



不稳地的情况：①自激震荡（放大器+反馈 k不满足条件）②pvtl（工艺、电压、温度、负载）





直接复制基准电流来使用-电流镜





优点：避免了定义电压；用尺寸之比定义电流

（为什么接gate：首先栅级不能悬空；如果接电压源会和基准电流源冲突；接在d是为了实现I—V convertor）



可以通过这种方法实现电流的运算电路（m1一定是饱和的 m2取决于外接条件）



使用这种方法避免了计算偏置电压

电流源流...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（5）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119968962</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119968962</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Sat, 28 Aug 2021 21:53:11 +0800</pubDate><description><![CDATA[差分放大器（differential）



如果电路对噪声敏感 就在电源上建立内阻的模型 也可以电源加波动的小信号来模拟噪声的影响



串扰的影响



解决的思想：通过反向信号抵消这样的干扰

共模电平存在影响工作点



即使电源存在噪声 噪声最终也被留在Vb上 对信号纯度没有影响这是采用这种结构希望得到的结果

采用两个几乎一样的电路 消掉共模部分的噪声（也可以用来消除跳变信号的影响）



同时可以获得两倍的输出电压摆幅







使用尾电流的结构使得电路只对差值部分响应，共模部...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（4）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119953297</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119953297</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Fri, 27 Aug 2021 21:54:56 +0800</pubDate><description><![CDATA[cs stage 负载电阻必须足够大才能获得高增益（否则和输出电阻并再乘gm 增益会很小）

source follower as a voltage buffer(可以理解为阻抗变换器)

最好做到输入电阻∞ 输出电阻为0 增益可以为1 接在cs stage后面 实现阻抗变换

input 在G output在S 也可以成为common drain stage（仅有截止和饱和两种状态）





小信号分析



A&lt;1

Id严重依赖Vin 仍然非线性 解决方法就是使用电流源代替电阻...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（3）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119899046</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119899046</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Wed, 25 Aug 2021 21:11:39 +0800</pubDate><description><![CDATA[common-source stage 共源放大器 即把源级接AC地

第三章关注的重点 直流偏置（DC sway）；小信号增益；输入输出电阻





改变Vin mos管经历截止-饱和-线性三个阶段 对于放大器来说 我们希望mos管工作在饱和区



分析小信号 大信号特性的斜率就是小信号放大的能力 即对上式求导可以算出增益

（偏置点不同 增益也不同）

使用小信号模型计算增益的方法更加简单 由于其线性性 仿真软件计算更加方便




...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（2）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119889408</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119889408</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Tue, 24 Aug 2021 20:56:42 +0800</pubDate><description><![CDATA[模拟受PVT的影响；P 工艺 V 电压 T 温度

参杂浓度和温度都会影响阈值即VTH 可以将要求匹配的管子放在近的地方 参杂浓度和温度较为接近会有更相近的阈值

工艺提供了不同沟道参杂浓度的晶体管 以获得不同的阈值



漏极电流在线性区（linear region /triode region）的表达式（推导过程见书）(对于nmos)



前半部分又工艺决定 设计的部分是后半部分电路的尺寸和偏置电压

ID同时受Vgs和Vds影响  W/L定义为宽长比（aspect ratio设计是考虑 改...]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[模拟cmos集成电路（1）]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119877607</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/steven_ifv/article/details/119877607</guid><author>steven_ifv</author><pubDate>Mon, 23 Aug 2021 21:50:00 +0800</pubDate><description><![CDATA[nmos 高电压一侧：drain 低电压一侧：source

pmos 高电压一侧：source 低电压一侧：drain

pmos制作在n阱中（n-well）n阱要接电路中最高电位Vdd 使得PN结截止防止贯通（不同pmos的B可以接不同电位）



现代常用双阱工艺（double-well）即Psub上也制作浅的P阱 也叫做标准cmos工艺

但不同的nmos的bulk（body）端不能接不同的电压（本质上是在同一块P衬底上），可以看作一块wafer上所有的nmos的B是连在一起的。（通常接地）


.]]></description><category></category></item></channel></rss>