72、蚀刻工艺与技术详解

蚀刻工艺与技术详解

1. 图像完整性

图像从 artwork/曝光过程转换的有效性可通过所有处理步骤的优化来实现。为了生成具有适当完整性的图像，必须充分维持表面处理、抗蚀剂应用、曝光、处理、显影和清洁等环节。可以定期使用如导体分析技术蚀刻评估协议等资源来衡量图像完整性。诸如短路和断路等缺陷已被确定与抗蚀剂完整性有关，而持续的线宽重复图案可能与图像有关。一般来说，抗蚀剂越薄，光路越短；光源与铜表面之间的光学界面层越少，图像与光掩膜的保真度越好。然而，胶片、曝光和光掩膜产品的不断改进使得精细图像选项不仅取决于技术和清洁度的适当优化和稳定性，还取决于技术的选择。

2. 处理基础

2.1 扩散——控制机制

为了理解箔横截面实际形状的形成，必须了解扩散和流体流动的影响。在铜表面的反应点进行蚀刻反应时，会形成络合离子浓度，同时活性蚀刻化学物质会被消耗。为了完成反应，这种络合离子必须穿过静态边界层，到达有新鲜蚀刻剂供应的地方，以完成反应并带走蚀刻产物。边界层的形状取决于抗蚀剂和蚀刻壁的特定形状、表面上的流体流动以及由抗蚀剂和蚀刻侧壁形成的通道中的关键流体流动。

2.2 流体流动的影响

边界层的轮廓和厚度会随通道的形状和狭窄程度而变化。如果表面平坦且没有抗蚀剂图像，边界层较薄，仅取决于流体特性和表面上的流速。相反，当抗蚀剂图像形成有深度的通道，蚀刻后的铜进一步形成通道时，通道内的流体流动与表面流动会有很大不同。电路走线和抗蚀剂图像在表面形成实际的通道，就像河底一样，这些单个通道内的流体流动受整体表面流动影响，但又与之不同。一般来说，通道越窄越深，流速越慢；关键的是，扩散边界层更显著，蚀刻剂流动变慢。这就是一组平行且间距紧密的