從 delphi 2009 至 XE6 的亮點學習筆記

本文概述了 Delphi 从 D2009 到 XE6 的主要版本特性,包括全面支持 Unicode、引入泛型编程和匿名方法、增强 RTTI 能力、实现 64 位编译器支持、新增 iOS 和 Android 平台开发能力等。对于 Delphi 开发者来说,了解这些版本更新有助于更好地利用新特性进行高效开发。

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文章出處 : http://delphi.ktop.com.tw/board.php?cid=31&fid=79&tid=106049

大家好,

在此要把我自己的手寫筆記(我習慣手寫),轉成數位記錄給自己或是喜歡的人分享一下。

經常的,我覺得許多程式人員在新版出來時都不太去學該版的一些重要特色。這樣會造成浪費喔!  有一點時間的話多學一點對許多方面都有幫助哩。以下列出「我個人認為」重要的:

  • D2009 : 全面unicode。 Generic programming,Anonymous method。  額外說,gerenric 對c++來說早就有,它是template。 Anonymous method,c++ 也是早就有,但bcb 32bit沒有。它是 lambda。
  • D2010 : 增強 delphi RTTI 的能力。
  • XE : C++ builder 實作active x 的方式變成用 DAX 來開發。  bcb的人才需要一點點注意。
  • XE2 : delphi for 64 bit compiler。  API for amzone EC2, windows Azure。
  • XE3 : class/record helper for 原生型別  (這個一定一定要知道,要學,極重要啦!),例子是TStringHelper .  BCB 64bit
  • XE4 : Delphi 的 DCCIOS32.exe  DCCARM.exe 二個新的compiler。
  • XE5 : Delphi 可以實作 android 與 ios 了!
  • XE6 : BCB 可以實作 android 與ios了 !
從上面可以進一步的思考,你需要的是哪一版?  (費話,最後一版…喔不,若沒錢或是…你就選看是否要更新)

針對紅色的部份,最最好去學習並了解,就算是寫 c++ builder的人也要去看,而且要更用力去看。為什麼?    因為那些東西都和embt近期實作 ios  android 等有用到啦。不去了解,就會學的、看的、一知半解。
等我時間充足一點,也許再往下補充紅的學習重點。

待續………  (我不確定要點多少點) (無誤
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资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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