11、平面SAGCM InP/InGaAs雪崩光电二极管的特性表征与建模

平面SAGCM InP/InGaAs雪崩光电二极管的特性表征与建模

1. 温度系数与电离率

电压源温度系数仅适用于长p⁺ - n型InP基二极管。对于InP基雪崩光电二极管（APD），实验测得的击穿电压V _br 与计算值之间的良好吻合，首次独立验证了InP中碰撞电离系数的温度依赖性，并且表明田口（Taguchi）的InP电离率是最佳的。

在研究M - V特性的温度依赖性时发现，相关结果在不确定度范围内是令人满意的。对于室温下特性的建模，采用大阪（Osaka）的InP电离率且t _undep = 3.2μm效果更好；而对于特性温度依赖性的建模，采用田口的InP电离率且t _undep = 3.8μm更佳。

2. 暗电流噪声研究

暗电流及其相关的倍增散粒噪声是降低APD灵敏度的潜在因素，同时，闪烁噪声可能是查找包括APD在内的许多电子设备性能退化源的有力工具。

2.1 低频噪声测量

使用HP3561A动态信号分析仪测量1Hz至100KHz的低频噪声谱，搭配低噪声的Ithaco 564电流放大器将灵敏度扩展至 - 270dBA²/Hz。本次研究选取了来自同一晶圆（P623）的APD14、APD32、APD34和APD37。

测量设置如下：

graph LR
    A[APD] --> B[Ithaco 564电流放大器]
    B --> C[HP3561A动态信号分析仪]

2.2 倍增散