外延材料的表征characterisation of epitaxial materials

写一点基础概念

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用各种技术和方法来分析和测量外延材料（如半导体薄膜、纳米结构或其他材料）物理、化学和结构特性。
外延材料是指在基地（通常是晶体基底）通过外延生长技术（如分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）等）沉积的薄膜材料。

目的

了解它是什么，包括质量、成分和其他关键特性

常见的外延材料表征技术包括：

1. X射线衍射（XRD）：外延层的晶体结构、取向、应力和厚度
2. 扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）
3. 原子力显微镜（AFM）
4. 光致发光（PL）光谱：分析外延材料的光学特性和缺陷态。入门介绍
5. X射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）：用于研究材料的化学成分和表面化学状态。