Lattice FPGA flash写保护解除

实验背景
在https://blog.youkuaiyun.com/sinat_25428663/article/details/143027011?spm=1001.2014.3001.5501分享中说到，当前板子是无法下载程序到片外flash的。本次分享介绍解除flash芯片的写保护。
实验目的
解除板子上flash芯片的写保护。
实验步骤
板子上用到的flash型号如下：

flash芯片有对应的状态寄存器（status register）来说明当前该芯片的一些设置和状态。

其中BP4-BP0和CMP共同决定flash芯片哪些block被保护。如下表

首先我们来读取状态寄存器，来确认flash的哪些block被设置了保护，读状态寄存器的指令如下：


读取的状态寄存器的值如下：
S15-S8

S7-S0

可以知道CMP的值为0，BP4-BP0的值为5’b01010，则如下的flash block被设置了写保护：

解除写保护的方法就是重写状态寄存器，将BP4-BP0的值写为5’b00000。写状态寄存器的指令如下：

这里需要注意的是，在写状态寄存器指令（WRSR）执行之前，需要执行写使能（WREN）指令。
写状态寄存器之后，再读取状态寄存器，如下：

可以看到BP4-BP0的值已经被成功设置为5’b00000, 说明所有的flash block的写保护都被解除了。测试一下，固化一个程序到片外flash，固化成功，打印信息如下：

至此，解除板子上flash芯片写保护的内容介绍完毕。