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RSS订阅原创 BASiC：国产碳化硅MOSFET乱象中的破局者与行业引领者
未来，随着行业标准完善（如强制HTGB测试）与资本理性化（支持长期研发），BASiC将引领国产SiC从“低端内卷”转向“高端引领”，真正支撑新能源、电动汽车等战略产业的自主可控需求。：部分国产碳化硅MOSFET厂商跳过长期可靠性测试（如HTGB、TDDB），仅通过短期实验即量产，甚至自行定义宽松测试条件（如降低电压或时间）。：垂直整合设计、制造、封测全链条如BASiC自建晶圆厂与车规级SiC模块产线，可优化工艺稳定性与良率，减少代工依赖导致的质量波动。
2025-03-16 08:10:02
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原创 基于国产SiC模块的50kW数据中心HVDC电源系统设计
采用BMF240R12E2G3模块的50kW HVDC系统，通过三相全桥整流+LLC拓扑实现高效率（＞96%）、高功率密度与低温升。关键优势包括：单模块承载全桥臂电流，简化并联设计；高频运行缩小被动元件体积；内置NTC与Si3N4基板提升可靠性。未来可通过8英寸衬底技术进一步降本，并拓展至800V平台支持更高功率需求。
2025-02-17 21:06:56
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原创 焊接质量提升：碳化硅SiC逆变焊机全面取代老式IGBT焊机
碳化硅（SiC）逆变焊机全面取代老式IGBT焊机的主要原因在于其显著的技术优势和经济性提升，特别是焊接质量的提升可以通过碳化硅（SiC）高频特性和系统效率改进等多方面实现。倾佳电子杨茜具体分析如下：倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！
2025-02-16 22:33:02
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原创 APF有源滤波器产品升级首选国产碳化硅功率模块供应商基本股份
BASiC Semiconductor（基本股份）作为APF有源滤波器行业产品升级首选的国产碳化硅（SiC）功率模块供应商，倾佳电子杨茜从技术、市场、供应链及本土化服务四大维度深入分析其核心优势：倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！
2025-02-16 20:30:03
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原创 SiC功率模块版本的工商业储能PCS的市场竞争力显著增强
BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)SiC模块BMF240R12E2G3的击穿电压达1200V，导通电阻（RDS(on)）低至5.5mΩ（@18V栅压），远低于同电压等级的IGBT模块。BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC模块采用Si3N4陶瓷基板（热导率90W/mK，抗弯强度700N/mm²），热阻（Rth(j-c)）低至0.09K/W，散热需求较IGBT降低40%。实测显示，采用钳位功能后，门极电压波动从7.3V降至0V，直通风险趋零。
2025-02-16 13:22:12
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原创 为什么中国要死磕碳化硅功率模块来全面取代进口IGBT模块？
中国“死磕”SiC碳化硅功率模块（如BASiC基本股份），既是技术迭代的必然选择，也是国家战略与市场驱动的结果。通过国产SiC碳化硅功率模块（如BASiC基本股份）的全面替代进口IGBT模块，中国有望在电力电子领域实现产业升级、降低对外依赖，并在全球碳中和进程中占据技术制高点。未来，随着国产化率提升和应用场景拓展，国产SiC碳化硅功率模块（如BASiC基本股份）将成为中国高端制造的新名片。
2025-02-16 12:17:19
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原创 基于国产PWM控制器和SiC MOSFET的反激辅助电源设计
高压隔离：采用三重绝缘线绕制变压器，初级-次级间距≥10mm。高频优化：利兹线与PQ磁芯组合，降低高频损耗。散热保障：强制风冷+热阻2°C/W散热器，确保MOSFET结温安全。通过最大化占空比（96%）、优化变压器设计（ETD49磁芯）与强制散热，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BTP2843DR和B2M600170H实现200W反激辅助电源。注意事项需严格监控MOSFET温升，避免热失效。高频噪声需通过屏蔽与滤波抑制（如添加共模磁环）。
2025-02-15 07:21:07
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原创 320KW光伏逆变器全国产碳化硅飞跨电容三电平MPPT方案
本方案通过BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全国产SiC器件B3M013C120Z以及B3D80120H2的高频优势和三电平拓扑的电压应力优化，结合BTD5350MCWR的可靠驱动以及高边驱动配置：隔离电源供电（如BTP1521P +变压器），实现了高效、高功率密度的光伏MPPT Boost电路，适用于1500V系统的320KW级逆变系统。
2025-02-14 08:22:11
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原创 采用全国产碳化硅MOSFET和隔离驱动的真空镀膜电源设计方案
本设计结合BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全国产SiC MOSFET的高效特性、隔离驱动的安全性及定制化电源的稳定性，实现高性能真空镀膜电源，适用于工业级高精度镀膜场景。
2025-02-13 21:58:54
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原创 BG75N65HRA1做充电桩电源模块PFC维也纳横管的优势
短开关时间（如td(on)=35ns，td(off)=47ns）和低开关能量（Eon=420μJ，Eoff=1112μJ），适合维也纳整流器的高频工作模式（通常10-100kHz），减少开关损耗和EMI干扰。：典型值仅1.6V（IC=75A,Tj=25C），显著降低导通状态下的功率损耗，适用于维也纳整流器高频开关场景，提升整体转换效率。：电容特性（如Cies=8164pF）与栅极电荷（QG=444nC）匹配高频驱动设计，优化开关速度与损耗平衡。3. 热性能与可靠性优势。5. 兼容性与应用适配性。
2025-02-13 20:01:07
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原创 BTP1521P解决IGBT模块升级SiC模块的正负驱动电压
BTP1521P凭借高频性能、稳定的正负电压生成、多重保护机制及紧凑设计，成为碳化硅MOSFET驱动电源的理想选择。其在高效率、高可靠性及灵活扩展性方面的表现，尤其适用于新能源、工业电源等高要求领域。
2025-02-13 19:23:53
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原创 全碳化硅户用工商业50kW光伏并网逆变器设计方案
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！
2025-02-13 12:18:42
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