WinCE OAL中的RAM 内存扩展和定制函数

本文深入探讨了WinCE系统中内核如何利用内存资源,包括内存大小的定义方式、内存调整机制以及如何枚举和使用不连续的物理内存。详细介绍了MainMemoryEndAddress、BOLOEMGetExtensionDRAM函数、pNKEnumExtensionDRAM实现等内容。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

转自: http://space.itpub.net/16912323/viewspace-588922 

在WinCE系统中,Kernel是如何使用内存的,如何知道内存的大小?是通过config.bib文件的描述,我们会在config.bib文件中MEMORY段定义WinCE内核所占用RAM的起始地址和大小,比如:

MEMORY
     NK      80001000  01E00000  RAMIMAGE

BIB文件的格式以前介绍过,这里不重复了,在config.bib中定义的是一个物理上连续内存,在OAL中我们可以改变这段被kernel使用的连续物理内存的大小,同时也可以通过函数来枚举其他的可用的物理内存,通常这些内存在物理地址上是不连续的。

 

1. MainMemoryEndAddress:
用于改变config.bib中定义的内核所使用的连续物理内存的大小。在启动过程中,内核设置该值为ulRAMEnd,其中ulRAMEnd的值等于config.bib中定义的RAM起始地址+RAM的size,WinCE内核通过MainMemoryEndAddress来得知可用的连续物理内存的大小。该变量可以在OEMInit函数中重新被设置来调整内存的大小。

 

2. BOOL OEMGetExtensionDRAM(LPDWORD lpMemStart, LPDWORD lpMemLen)
该函数用于向WinCE内核枚举一块不连续的物理内存。当有另一块物理内存存在,可以通过该函数来枚举这块内存的起始地址和大小,这样WinCE内核就可以使用这块内存了。

lpMemStart:内存的起始地址

lpMemLen:内存的大小

如果没有额外的内存,该函数直接返回FALSE就可以了。

 

3. pNKEnumExtensionDRAM
如果系统中有多余1个以上的不连续物理内存,就需要实现OEMEnumExtensionDRAM函数,并将它赋给pNKEnumExtensionDRAM函数指针。一般在OEMInit中实现,如下:
pNKEnumExtensionDRAM = OEMEnumExtensionDRAM;

 

然后需要实现OEMEnumExtensionDRAM函数,这个函数比较简单,举个例子就明白了,如下:
DWORD OEMEnumExtensionDRAM(PMEMORY_SECTION pMemSections, DWORD cMemSections)
{

 DWORD dwExtMem=0;

 

 pMemSections[0].dwFlags=0;

 pMemSections[0].dwStart=(SDRAM_VIRTUAL_MEMORY + SDRAM_MAIN_BLOCK_SIZE);

 pMemSections[0].dwLen=SDRAM_MAIN_BLOCK_SIZE;

 pMemSections[1].dwFlags=0;

 pMemSections[1].dwStart=(SDRAM_VIRTUAL_MEMORY + 2*SDRAM_MAIN_BLOCK_SIZE);

 pMemSections[1].dwLen=SDRAM_MAIN_BLOCK_SIZE;

 pMemSections[2].dwFlags=0;
 pMemSections[2].dwStart=(SDRAM_VIRTUAL_MEMORY + 3*SDRAM_MAIN_BLOCK_SIZE);

 pMemSections[2].dwLen=SDRAM_MAIN_BLOCK_SIZE;

 

 dwExtMem=3;

 

 return dwExtMem;

}


其中pMemSections是一个内存的结构,如下:
typedef struct _MEMORY_SECTION {
  DWORD dwFlags; 
//预留,必须设置为0
  DWORD dwStart; //内存的起始地址
  DWORD dwLen;   //内存的大小
} MEMORY_SECTION, *PMEMORY_SECTION;

在上面的OEMEnumExtensionDRAM函数中,枚举了3块连续的物理内存,并且返回枚举的内存的个数。


在WinCE引导过程中,会首先检查pNKEnumExtensionDRAM是否为NULL,如果不为NULL则调用它所指向的函数并且不再调用OEMGetExtensionDRAM,如果pNKEnumExtensionDRAM为NULL,则调用OEMGetExtensionDRAM函数。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持代理商服务,可为用户在产品选型应用过程中提供有
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值