FLASH的架构

这篇博客探讨了嵌入式系统中内存的三种关键部分:应用ROM(APROM)、加载ROM(LDROM)和CONFIG字节。APROM通常用于存储用户代码,而LDROM则存放启动代码。CONFIG字节则涉及硬件初始化。尽管APROM和LDROM功能类似,但它们的大小不同,每块内存由128字节的页组成。了解这些内存分区对于理解和优化嵌入式系统的性能至关重要。

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      整个嵌入的FLASH,作为编程内存的功能,被分成三块:
      应用ROMAPROM):通常存储用户代码。
      加 载ROMLDROM):通常存储启动代码。
      CONFIG字节:作用于硬件初始化。
      事实上, APROM 和 LDROM 功能相似,但是大小不一样,每一块由一页一页组成,每页大小是128字节。
### NOR Flash与NAND Flash结构上的主要区别 #### 结构差异 NOR Flash 和 NAND Flash 在内部架构上有明显不同。NOR Flash 使用并行访问方式,允许处理器像访问内存一样直接寻址和执行代码[^1]。相比之下,NAND Flash 采用串行访问机制,数据按页读取,最小操作单位是一个块(通常是512字节),这使得其不适合随机存取但有利于提高写入效率和降低成本。 对于单元连接方面,在 NOR 架构中,每个存储单元都单独连接到位线和字线上形成矩阵布局;而在 NAND 设计里,则是以多个浮栅晶体管串联成链状结构再与其他链条相连构成阵列形式[^3]。 #### 性能对比 由于上述结构性质的不同,两者表现出各异的工作特性: - **读取速度**:NOR Flash 支持快速随机读取,可以直接从闪存上运行程序而不必加载至 RAM 中,因此具有较高的指令执行速率。然而,这种设计也导致了相对较低的数据吞吐量。 - **写入/擦除时间**:NAND Flash 提供更快的写入和擦除周期,因为它的批量处理模式可以更高效地管理大量数据传输任务。不过,它无法实现真正的随机访问功能,每次读写都需要针对整个页面或区块进行操作[^2]。 #### 应用领域 基于这些特点,这两种技术适用于不同类型的应用场合: - **NOR Flash** 更加适合用于保存少量的关键配置信息以及引导加载程序等需要频繁调用的小规模代码片段。例如,在微控制器(MCU)内核附近集成一小部分 NOR 型非易失性存储空间来存放启动固件是非常常见的做法[^4]。 - **NAND Flash** 则广泛应用于大规模数据记录介质之中,比如移动电话、平板电脑里的操作系统映像文件和个人多媒体资料库等。此外,现代高性能计算平台所依赖的企业级 SSD 多数也是基于 NAND 技术构建而成[^5]。 ```python # 示例 Python 代码展示如何区分两种Flash类型的功能侧重点 def compare_flash_types(): nor_features = ["Direct Execution", "Faster Random Reads"] nand_features = ["Higher Write Speeds", "Lower Cost per Bit"] print("NOR Flash is better suited for applications requiring:") for feature in nor_features: print(f"- {feature}") print("\nWhile NAND Flash excels at providing:") for feature in nand_features: print(f"- {feature}") ```
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