数字集成电路经典教材

<1> DIGITAL Integrated Circuits A Design Perspective(Senond Edition)  【原出版社】 Prentice Hall/Pearson   【作者】     Jan M.Rabaey,Anantha Chandrakasan,Borivoje Nikolic   【丛书名】 国外大学优秀教材——微电子类系列（影印版）   【出版社】 清华大学出版社   【书号】     7-302-07968-4  【开本】     16开  【页码】     761  【出版日期】 2004-3-1  【版次】     2-1          ￥68.00  《数字集成电路——设计透视（影印版·第2版）》 本书的特点主要包括： (1)将数字集成电路设计中电路与系统的视角统一起来，在系统深入地介绍了深亚微米条件下半导体器件的知识和最基本的反相器后，作者逐渐将这些基础知识引入到更加复杂的模块，比如门、寄存器、控制器、加法器、乘法器和存储器等。在深亚微米的设计条件下，设计者不仅仅需要考虑整个系统的设计问题，还要随时警惕在电路级——比如器件和连线所带来的问题。 (2)本书是第一本将数字集成电路设计问题集中在深亚微米条件下的参考书，并且提供了一个深亚微米条件下的简单晶体管模型。另外针对深亚微米条件下设计人员所面对的新挑战，例如互连线问题、信号完整性问题、时钟分布问题、功耗问题等，全书都做了非常详细的论述。 (3)书中的内容紧扣当今数字集成电路设计的核心问题，并通过大量的设计实例向读者介绍了最新的设计技术和工程发展现状与趋势。 (4)与本书相配套的互联网站点http：／／bwrc．eecs．berkeley．edu／IcBook／index．htm，为读者提供了大量的习题和其他实验资料。   <2>Analysis and Design of [url=http://www.dzsc.com/stock-ic/DIGITAL.html]DIGITAL[/url] Integrated Circuits:In DEEP Submicron TECHNOLOGY,Third Edition   【原出版社】 McGraw-Hill   【作者】     David A.Hodges,Hoarace G.Jackson,Resve A.Saleh   【丛书名】 国外大学优秀教材——微电子类系列（影印版）   【出版社】 清华大学出版社   【书号】     7-302-09061-0  【开本】     185×235  【页码】     546  【出版日期】 2004-8-1   【版次】     3-1            ￥55.00 数字集成电路分析与设计——深亚微米技术（第3版·英文影印版）》 本书的第3版，把当前数字集成电路中已无可争议地占绝对主导地位的CMOS电路技术作为主要内容。全书以当前工业界领先的0．18微米和0．13微米的工艺技术为基础，注入了许多深亚微米领域电路设计方面的资料，如最先进的电路制造工艺、BSIM3短沟器件模型、深亚微米的互连技术和时钟技术、基于逻辑力度(LOGIC Effort)的高速CMOS电路设计技术、电源网络设计等。此外，第3版还新增了一些较新和较深的内容，如快闪存储器(FLASH MEMORY)、铁电存储器(FRAM)、锁相环(PLL)等，因此第3版明显地具有集成电路深亚微米时代的特点。 本书可用作高等院校电子信息、自动控制、电气工程、精密仪器等专业本科高年级学生和研究生有关集成电路课程的教材。全书共分11章，其中第1～8章为最基本的内容，第9～11章可根据不同的教学计划和教学要求选择不同的内容。本书各章中内容较深的部分可供讲授研究生课程时选用。由于本书内容先进详实，因此对于从事集成电路设计的工程技术人员来说也是一本不可多得的优秀参考书。 <3>【原书名】CMOS DIGITAL Integrated Circuits:Analysis and Design,Third Edition   【原出版社】 McGraw-Hill   【作者】     Sung-Mo Kang,Yusuf Leblebici   【丛书名】 国外大学优秀教材——微电子类系列（影印版）   【出版社】 清华大学出版社   【书号】     7-302-09060-2  【开本】     188×231  【页码】     626  【出版日期】 2004-8-1   【版次】     3-1          ￥59.00  《CMOS数字集成电路——分析与设计（第3版·英文影印版）》 本书特色： ·AMAZON 读者评价5星图书 ·该教材内容全面，理论阐述明晰，技术介绍详尽，被国外多所大学作为教材使用 ·考虑到国内教学的实际情况，本书为对原书的修订版，修订后的学生影印版基本保持了原书的结构和内容 本书从CMOS工艺开始，进而覆盖MOS晶体管模型、基本的CMOS门、互连效应、动态电路、存储器电路、BiCMOS电路、I／O电路、VLSI设计方法学、低功耗设计技术、可生产性设计和可测性设计等内容。通过详尽的实例，精确地分析基本设计概念。在大多数电路实例中，都讨论了计算机辅助分析和设计，同时大量的SPICE仿真结果也被用作基本概念的说明。通过对CMOS电路精确的分析，学生能够学习到CMOS VLSI设计的基础，而这恰恰是先进的计算机硬件发展背后的推动力。   <4>【原书名】DIGITAL Integrated Circuits:A Design Perspective,Second Edition  【原出版社】 Prentice Hall/Pearson   【作者】 （美）Jan M.Rabaey,Anantha Chandrakasan,Borivoje Nikolic   【译者】     周润德   【丛书名】 国外电子与通信教材系列   【出版社】 电子工业出版社   【书号】     7-121-00383-X  【开本】     16开  【页码】     553  【出版日期】 2004-10-1   【版次】     2-1          ￥58.00  《数字集成电路——电路、系统与设计（第二版）》 本书特点  ●只关注深亚微米CMOS器件。开发了一个用于手工分析的称为通用MOS模型的晶体管简单模型并在全书中采用  ●设计举例从实际出发强调数字集成电路的设计。突出了设计中的难点和设计指导。所有的例子和思考题都采用0．25微米CMOS工艺  ●"设计方法插入说明"分散地穿插在书中，强调了设计方法学和设计工具在今天设计过程中的重要性  ●每一章末的综述探讨了未来的技术发展趋势  自本书第一版于1996年出版以来，CMOS制造工艺继续以惊人的速度向前推进，工艺特征尺寸越来越小。目前特征尺寸已达到了100纳米的范围，电路也变得更复杂，这对设计者的设计技术提出了新的挑战。器件在进入深亚微米范围后有了很大的不同，这就提出了许多影响数字集成电路的成本、性能、功耗和可靠性的新问题。 修订后的第二版反映了进入深亚微米范围后所引起的数字集成电路领域正在发生的深刻变化和最新进展，特别是深亚微米晶体管效应、互连、信号完整性、高性能与低功耗设计、时序以及时钟分布等起着越来越重要的作用。与第一版不同，第二版全面集中地介绍了CMOS集成电路。与第一版相比，第二版的突出特点是利用网站提供指导材料，从而能对这些材料随时进行扩充。其中包括完整的MicrosonPowerPoint文件，它覆盖了本书全部内容、修订、更正、设计课题以及详尽的教师授课用的教辅资料。 全书共12章，分为三个部分：基本单元、电路设计和系统设计。本书在对MOS器件和连线的特性做了简要介绍之后，深入分析了数字设计的核心——反相器，并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进入深亚微米领域后正在发生的深刻变化，第二版增加了许多新的内容，并以0.25微米CMOS工艺的实际电路为例，讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题，着重探讨了深亚微米数字集成电路设计面临的挑战和启示。 特别要说明的是，本书的所有习题现已放在网站上(书中已不含习题)。 http://bwrc.eecs.berkeley.edu/IcBook--一个动态的指南 本书由美国加州大学伯克利分校Jan M. Rabaey教授撰写。本书可作为高等院校电子科学与技术（包括微电子与光电子）、电子与信息工程、计算机科学与技术、自动化等专业高年级本科生和研究生有关数字集成电路设计方面课程的教科书，也可作为从事这一领域的工程技术人员的参考书