"活图"的等高线要素

 

    在“活图(中文版活图ver8.1现在是常州微识自动化科技有限公司产品之一http://www.microverify.com/col.jsp?id=114”的基本图形应用要素中,有一个“等高线”要素,它包括了三角形等高线要素和四角形等高线要素,表示时,需要赋值给三角形的的三个角坐标或四角形的四个角坐标(节点坐标),以及每个三角形或四角形等高线参数的表达方式,然后将一个图形全部用等高线要素填充满,调整各图形表现方式,就可以得到完整的等高线图了。对于规则的等高线图形,如方形域或圆形域或扇形域等,可以将它们分化成规则的等高线要素组元,赋值各要素的角点坐标值,利用现成的等高线应用图将它们表现出来;对于不规则的等高线图形,只要有图形的点坐标集,就可以利用“活图”的数值变换函数,先将图形自动划分成能用图形表达的三角网目群或四角网目群,然后再将三角形等高线要素或四角形等高线要素套入就可以。

   “活图”的三角形等高线要素和四角形等高线要素的各参数和基本图形如下:

 

 

   

 

    利用基本的等高线要素,产生的等高线应用图例子如下:

 

                           等高线例子1

 

 

                            等高线例子2

 

 

                                      等高线例子3

 

    在实际应用中,可以根据具体的图形表现形式,或采用现成的应用图,或以三角形或四角形等高线要素为基元,利用活图的函数和数式计算功能和数据表现功能,编程使其能正确表现出来。

 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形1、2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。6至10进一步揭示性能特征:转移特性(7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(8、9)展现不同控制电压下的阻抗;10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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