存储器分类（简易）

 

NOR FLASH：1988年intel公司开发出了NOR flash技术。

•         数据线和地址线分开。
•         容量；供电电压（2.7V~3.6V，2.3V~3.6V、1.65V~2.0V、1.65V~3.6V）；SPI接口（标准SPI(Standard SPI)、双线SPI(Dual SPI)、四线SPI(Quad SPI)）；温度（商业级(0~+70℃)、工业级(-40℃~+85℃)、汽车级(-40℃~+125℃)）；封装；功耗
•         GD；聚辰

NAND FLASH： 1989年，东芝公司富士雄发表了NAND flash结构。

•         数据线和地址线复用
•         容量；电压（3.3V和1.8V）；IO线；ECC；封装
•         GD

（ 左边是NAND FLASH,右边是NOR FLASH）

ROM：Read-Only Memory

• BIOS应该是用到ROM；ROM断电不丢失数据
• 闪存是在 ROM 的基础上发展起来的，与 ROM 有关，但不能说闪存就是ROM

RAM：Random Access Memory

        静态RAM（Static RAM/SRAM）  快；贵

        动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）

EEPROM：Elecrically Erasable Programmable ROM  可电擦除可编程的只读存储器   

• EEPROM按字节Byte操作
• 写入时间短；擦写多；复杂；贵

 EEPROM

FLASH：快擦除读写存储器（Flash Memory）  

• FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，
• 写入时间长，擦写次数少；结构较简单，成本低