半导体存储器

本文深入解析了半导体存储器的分类,包括RAM与ROM的功能,制造工艺如双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器,以及静态和动态两种存储原理。同时,阐述了半导体存储器的关键技术指标,如存储容量、存取时间、存取周期和平均故障间隔时间MTBF,以及功耗。

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。

按功能分类

按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)

RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器

ROM 主要用于BIOS存储器。

按其制造工艺

可分为:双极晶体管存储器MOS晶体管存储器。

按其存储原理

可分为:静态和动态两种。

优点是:体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

技术指标:

主要有:

1. 存储容量存储单元个数M×每单元位数N

2. 存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间

3. 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间

4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)

5. 功耗:动态功耗、静态功耗

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