Flex多SWF文件加载之Applicatoin Domain

本文深入解析了应用程序域(ApplicationDomain)的概念及其在加载外部SWF文件时的应用。介绍了如何通过三种方式设置应用程序域,包括指定至既存的应用程序域、作为既存域的子域以及创建全新域,并探讨了这些配置对类定义的影响。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

 

概要

当我们加载外部swf时,必须要了解应用程序域(Application Domain)。从Adobe官方文件中,我们可以得知应用程序域能够把处于同一个安全域(Security Domain)中的类分离开,这样就可以让一个类的多个定义共存,或是让多个子应用来共享父应用的类定义。简单点理解就是应用程序域为类定义提供了分区功能。

 

应用程序域

一个类的多个定义共存:内存中有多个类,它们名称相同,但定义不同定义,由于处于不同的应用程序域,所以互不干扰,得以共存。

子应用共享父应用的类定义:N个子应用引用同一个父应用的所提供的类定义,当父应用更新时,子应用所引用的内容也会随之更新。

 

当加载外部swf文件时,可以为其设置三种应用程序域:

一、将加载的swf指定至一个既存的应用程序域中。

二、将加载的swf指定为一个既存的应用程序域的子应用程序域。

三、为加载的swf指定一个全新的应用程序域。

 

我们先来看一下官方文档的说明图:

ApplicationDomain演示

图中共有四个文件,分别为application1.swf、module1.swf、application2.swf和module3.swf。module1.swf、application2.swf和module3.swf均被application1.swf加载,其中module1.swf与application1.swf属于同一个域,module3.swf被划分至application1.swf的子应用程序域,最后是application2.swf,它完全拥有一个独立的应用程序域。

 

独立域,在应用定义相同的情况下,可以使几个版本并行

 

 

共享域,增加新的类定义(RSL)

 

 

子域,子域中的类引用父应用中的类定义

 

 

注意事项

加载图片或是用ActionScript 1.0/2.0 编写的SWF文件时,不可以使用应用程序域,因为应用程序域只能应用于ActionScript 3.0,我们可以通过函数“getDefinition”来获取已经加载的类定义

应用程序域之间形成的是一个树形结构,它们之间靠“parentDomain”来链接,而最顶层是系统域(system domain),它包括了Flash内置类型,如Sprite、Textfield等

当一个子应用中的类定义无论是以共享域还是子域的形式被加载,如过发现父应用中已经定义了的这个即将被加载的类,那么这个类定义的加载被忽略

应用程序域仅在一个安全域中有效,它不允许跨域使用

 

更多例子

共享域加载

- the HelloW class from MyApplication

- the SWFHelloW class from SWF1

共享域

子域加载

- the HelloW class from MyApplication

- the SWFHelloW class from SWF1 and SWF2

子域

独立域加载

- the HelloW class from MyApplication

- the HelloW class from SWF1 and SWF2

- the SWFHelloW class from SWF1 and SWF2

独立域

 

TODO疑问

 

当我们在子应用中定义了工具方法create,其中的ApplicationDomain.currentDomain是父应用的currentDomain,还是当前的currentDomain?

 

 

参考文档

http://blogs.adobe.com/rgonzalez/2006/06/applicationdomain.html

http://ghalex.com/blog/application-domains-in-flex

http://livedocs.adobe.com/flex/3/html/help.html?content=18_Client_System_Environment_5.html

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
评论 2
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值