BJT 共射放大电路（基于multisim）

最新推荐文章于 2025-02-27 15:15:58 发布
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分类专栏： 模电 文章标签： 硬件工程
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共集电极放大电路Multisim仿真
10-04
共集电极放大电路Multisim仿真
Multisim 14.0 基本共射放大电路.ms14
08-25
Multisim 14.0 基本共射放大电路 参考http://www.360doc.com/content/19/0818/00/40427257_855575093.shtml
模拟电路中的功率放大电路：从原理到Multisim仿真实战（附仿真电路图）
最新发布
2303_76357418的博客
02-27 3185
摘要： 本文基于Multisim仿真平台，系统解析模拟电路中功率放大器的设计与实现。从甲类、乙类、甲乙类功放的工作原理切入，详解静态工作点设置、效率计算及典型失真现象（如交越失真）。重点对比OCL无电容输出电路与OTL单电源电容耦合电路的核心差异： 供电方式：OCL需双电源，OTL仅需单电源； 低频响应：OCL支持DC信号，OTL受限于耦合电容（ ）； 工程取舍：OCL适合高保真场景，OTL侧重低成本便携设计。 通过Multisim仿真演示甲类功放Q点优化、乙类交越失真消除、OTL低频截止频率验证等
模电-单管放大电路Multisim仿真实验
gg1067的博客
12-25 4294
模电单管放大电路测试
Multisim14仿真基本模拟电路之 10.2单管共射放大电路的仿真实验与分析
qq_32589131的博客
04-10 3万+
Multisim14模拟仿真基本电路 平台 版本 Multisim14.1 参考书籍《MULTISIM14电子系统仿真与设计第2版》 10.2单管共射放大电路的仿真实验与分析 单管放大电路是由单个晶体管构成的放大电路。 实验原理图 1)确定静态工作点。 Ube ≈ 12 * 5/(5k+5k+25k) = 1.7 V Uce ≈ Vcc - (1+β)ibR4 - βibR3 （暂时不确定ib...
(模电笔记一 By Multisim)单管共射放大电路
qq_37459242的博客
05-30 9649
一.了解一下所用元器件 1.双击三极管,点击 Value ,点击 Edit model. 2.你可以看到 理想最大放大倍数(BF) 等元件属性, 点击可以对其进行修改, 在此不做修改. 二.构建原理图: 电压表 : XMM3,XMM8,XMM2 电流表 : XMM1,XMM4 双踪示波器 : XSC1 三.了解一下核心关系以及相关名词: IBQ=VCC−UBEQRbI_{BQ}=\frac {VCC - U_{BEQ}}{R_b}IBQ​=Rb​VCC−UBEQ​​ ICQ=
共射极单管放大器的Multisim仿真实验
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m0_64309342的博客
08-13 4万+
３.２实验２共射极单管放大器１ 1.实验目的 １)研究晶体管的放大作用，掌握单管放大电路的主要性能指标及测量方法。 ２)学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器非线性失真的影响。 ３)进一步掌握实验室常用仪器的使用方法。 ２.预习要求 １)复习共射极放大电路的基本工作原理 ２)了解放大电路电压放大倍数、输入电阻、输出电阻和幅频特性的测试方法。 ３)对图３-２所示电路进行Multisim仿真。通过仿真分析电路的静态工作点以及接负载情况下的电压放大倍数、上限频率和下限频率等指标。
单管放大电路的分析（Multisim仿真）
2201_75415349的博客
10-26 6318
在本次实验中，通过对放大电路的仿真，判断输出电压是否失真，若失真，对其进行合理的修改，使晶体管工作在放大区，其中，还需要考虑静态工作点的稳定。在实验过程中，若出现失真，需要先判断是什么类型的失真，是什么导致的失真，判断需要通过调整哪些参数来消除失真，最常见的就是因为基极电流Ib过大或过小导致输出电压饱和或截止失真，若是饱和失真，就减小基极电流Ib，若是截止失真，就增大基极电流Ib。
Multisim 的BJT电路仿真与分析
悟已往之不谏 知来者之可追
11-23 1万+
learning...
2-9-1a单管共射放大电路_共射放大_电路仿真_
10-03
在电路仿真中，如文件名所示的“2-9-1a单管共射放大电路.ms7”可能是Multisim或其他类似电路仿真软件的文件，这些软件允许用户创建电路模型，模拟其工作状态，观察电压、电流随时间的变化，分析频率响应，以及计算...
实验一 晶体管共射极单管放大器multisim源文件
06-14
晶体管共射极单管放大器是电子技术中基础且重要的电路之一，广泛应用于音频放大、信号处理等领域。在这个实验中，我们主要关注的是利用Multisim软件进行晶体管放大器的仿真。Multisim是一款强大的电路模拟工具，它...
基本共发射极放大电路实验电路multisim源文件
12-19
基本共发射极放大电路实验电路multisim源文件，multisim10及以上版本可以正常打开仿真，是教材上的电路，可以直接仿真，方便大家学习。
基本的功率放大电路Multisim仿真.zip
12-17
基本的功率放大电路Multisim仿真。本压缩包包含OCL甲乙类功率放大电路、OTL甲乙类功率放大电路、OTL乙类功率放大电路、小型功率放大电路四个Multisim仿真。其设计在本人博客https://blog.youkuaiyun.com/l980401/article/details/103554479中有介绍
模电设计 基于multisim14的音频功率放大器
07-29
基于multisim14的功放器 技术指标： [1]. 输入信号：有效值Ui=44mV； [2]. 最大输出功率：Po=5.1W； [3]. 负载电阻：RL=8Ω； [4]. 低频限：32Hz； [5]. 高频限：25KHz；
multisim三极管BJT放大电路仿真图.rar
01-16
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晶体管共射极单管放大器 multisim实验报告
08-17
晶体管共射极单管放大器是电子技术中基础且重要的电路组成部分，广泛应用于音频放大、信号处理等众多领域。本实验报告将深入探讨这一电路的工作原理、设计方法以及Multisim软件的仿真过程。 首先，我们要理解晶体管...
三极管放大，失真模拟仿真设计(基于Multisim)
small_write1的博客
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（单管）基于三极管的正常放大，顶部失真，底部失真，双向失真，交越失真的仿真电路及仿真结果
Multisim仿真：验证性实验-单管共射放大电路
qq_66743633的博客
04-18 5305
共射极放大电路multisim
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### 设计和仿真共射极放大电路 #### 一、元件选取与参数设定 为了构建一个基本的共射极放大电路，在Multisim中需选择合适的晶体管和其他组件。对于给定条件下的共射极放大电路，其主要参数已经给出：放大倍数约为3倍，集电极-发射极电压\(U_{CE}\)大约为2伏特，集电极电流\(I_C\)设置成1毫安培，基极偏置电压\(U_{BQ}\)设为2.7伏特，输入信号源内阻约为20千欧姆，而输出电阻则接近于6千欧姆。 这些数值有助于初步确定所需使用的NPN型双极结型晶体管(BJT)，以及围绕该晶体管周围布置其他必要的无源元件如电阻器、电容器等[^1]。 #### 二、搭建电路模型 打开Multisim软件并创建新项目文件。按照标准做法放置好BJT，并连接相应的电源轨（正负供电）。接下来依据上述提到的关键电气特性配置各个固定值电阻Rb, Rc 和 Re 来满足所需的静态工作点要求： - 0.7V)}{\left(\frac{1mA}{β}\right)} ≈ 430 kΩ \) 这里假设\( β=100 \), 并考虑到实际应用中的容差范围可适当调整此值； - \( R_E=\frac{V_E}{I_E}= \frac {V_{EE}-(-V_{E}) }{I_E }\approx 2kΩ \) 其中\( V_E≈-1V \)(考虑VE相对GND为负)，\( I_E≈I_C \); - \( R_C=\frac{V_{CC}-V_{CE(sat)}}{I_C}≈3.3kΩ \). 此外还需加入耦合电容Cin,Cout用于隔直通交处理，旁路电容Ce用来稳定直流操作点的同时允许交流成分顺利通过而不受Re的影响。 ```matlab % MATLAB Code to calculate resistor values based on given parameters. Vcc = 5; % Supply Voltage (Volts) Vbe = 0.7; % Base-Emitter voltage drop across BJT (Volts) Beta = 100; % Current gain of the transistor Ic = 1e-3; % Collector current (Amperes) Ve = -1; % Emitter voltage relative to ground (Volts) Vce_sat = 0.2; % Saturation voltage between collector and emitter (Volts) Rb = (Vcc-Vbe)/(Ic/Beta); % Calculate base resistance value Re = abs(Ve)/Ic; % Calculate emitter resistance value Rc = (Vcc-Vce_sat)/Ic; % Calculate collector resistance value disp(['Base Resistor Value: ', num2str(Rb)]); disp(['Emitter Resistor Value: ', num2str(Re)]); disp(['Collector Resistor Value: ', num2str(Rc)]); ``` #### 三、运行仿真实验 完成硬件布局之后就可以启动AC Sweep Analysis分析工具来进行频率响应测试，观察增益曲线变化情况以评估所建模系统的性能指标是否达到预期目标——即实现约3倍左右的小信号电压放大效果。如果发现负载效应影响到了整体表现，则可以在输出端附加一级运算放大器构成缓冲级来改善最终输出品质[^2].
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