eeprom读写失败问题分析

问题描述

• 先向eeprom写入4字节数据，然后再读出，判断数据是否写入成功；
• 读出的数据虽然不是随机数，但是并不是写入的数据

问题分析（以at24cxx为例）

1. 众所周知，eeprom写数据时是有写周期的，也即iic传递时间（虽然iic总线速率也足够快，但是如果跟高速mcu相比的话，还是有点不够看），写完数据后，iic总线进入空闲状态，mcu才能进行读动作，如果总线释放时间过短，导致eeprom没有正确识别到空闲状态，那么读出的数据肯定是有问题的；
2. 在网上查阅资料发现，当写入数据超过一页（128字节）时，eeprom会在当前页循环写入，也即超过128字节的数据会覆盖掉当前页的起始字节，该情况也有可能导致数据读出异常（问题数据并没有超过128字节，所以排除该原因）；
3. 在进行读写操作时，没有关闭外部中断，存在外部中断打断读写过程的可能（开发环境为stm32+rtt，其中eeprom的读写操作都进行了加锁保护，所以排除该原因）。

 方案验证

        写操作完成后，添加少许延时，再进行读操作，数据读取正常。

at24cxx_write(eeprom_dev, DEV_SLEEP_ENTRY_TIME_ADDR, (uint8_t *)&now, 4); //记录进入休眠时间
rt_thread_mdelay(5);
at24cxx_read(eeprom_dev, DEV_SLEEP_ENTRY_TIME_ADDR, (uint8_t *)&tmp, 4);

 问题结论

        由以上分析可以得出结论，如果eeprom读写时序间隔太短，那么iic总线释放时间就会太短，此时eeprom可能无法正确识别读写时序，进而导致读写出现问题。所以，建议在进行eeprom的连续读写操作时，最好在中间加上5~10ms的延时，确保总线释放。